[发明专利]一种ZnO透明导电膜层的制备方法无效
| 申请号： | 201210443951.7 | 申请日： | 2012-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN102965621A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 石倩;周克崧;代明江;林松盛;侯惠君;韦春贝;胡芳 | 申请（专利权）人： | 广州有色金属研究院 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/35 |
| 代理公司： | 广东世纪专利事务所 44216 | 代理人： | 千知化 |
| 地址： | 510651 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 zno 透明 导电 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种ZnO透明导电膜层的制备方法，其特征是由以下步骤组成：
(1)衬底除油、清洗、烘干后放入真空室中，本底真空度＜4.0×10-3Pa，工作温度为室温，气压0.2～0.6Pa，离子源200～400W和偏压200～800V下，用氩离子轰击清洗衬底5～20min；
(2)Ga2O3和ZnF2掺杂的ZnO作为靶材，氩气流量50-250sccm，氩气压为0.1～1.0Pa，衬底温度为室温，中频靶功率为2～20W/cm2，沉积时间5～20min，中频磁控溅射沉积GFZO膜层。
2.根据权利要求1所述的ZnO透明导电膜层的制备方法，其特征是所述衬底为玻璃或柔性有机聚合物。
3.根据权利要求1所述的ZnO透明导电膜层的制备方法，其特征是所述靶材为GFZO陶瓷，其中Ga2O3含量为2～5wt.％，ZnF2含量为1～3wt.％。
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