[发明专利]一种改善MOS管的栅极漏电的方法

权利要求书

1.一种改善MOS管的栅极漏电的方法，其特征在于，包含的主要步骤如下：

1.1.在硅衬底上形成一层栅极介质层；

1.2.在上述的栅极介质层上形成一层掺杂多晶硅层；

1.3.在上述的掺杂多晶硅层上形成一层硅化钨层；

1.4.在上述的硅化钨层上形成一层低阻金属层；

1.5.重复1.3和1.4步骤，直至栅极金属层的厚度满足器件需求；

1.6.在上述组合的栅极金属层上形成一层栅极介质隔离层；

1.7.利用光刻和各向异性的干法刻蚀形成栅极图形；

1.8.栅极图形形成后进行高温热处理；

1.9.制作栅极侧墙介质层。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1.1中，所述栅极介质层是通过湿氧氧化形成，厚度为20-40埃。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1.2中，所述掺杂多晶硅层为掺杂了磷元素或硼元素的掺杂多晶硅，所述掺杂多晶硅层通过低压化学气相淀积法生长，其厚度为1000～6500埃。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1.3中，所述硅化钨层的淀积方式是物理气相淀积法，包括物理溅射；所述硅化钨层的厚度为100～450埃。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1.4中，所述低阻金属层的材料包含钛、氮化钛、氮化钨、镍、钴，该低阻金属层的厚度为20～150埃。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1.6中，所述栅极介质隔离层的厚度为1200-1800埃。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1.8中，所述高温热处理包括首先进行高温热退火,然后进行高温热氧化。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述高温热退火的方式包含快速热退火、炉管热退火。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述高温热退火的气氛包含氮气、氩气、氦气，所述高温热退火的温度为600～1050摄氏度，高温热退火的时间为10秒～25分钟。

10.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述高温热氧化的方式为快速热氧化，气氛包含氧气、氮氧混合气、一氧化氮，所述高温热氧化的温度为850～1000摄氏度，氧化时间为15～60秒；所述高温热氧化在栅极侧壁形成40～200埃的侧壁氧化层。

11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1.6和1.9中，所述栅极介质隔离层和栅极侧墙介质层的材料包含氮化硅、氧化硅、氮氧化硅。