[发明专利]去除磷硅玻璃的设备和方法无效
| 申请号： | 201210442267.7 | 申请日： | 2012-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN102938433A | 公开（公告）日： | 2013-02-20 |
| 发明（设计）人： | 马红娜;张红妹;马桂艳;胡海波 | 申请（专利权）人： | 英利能源（中国）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;B08B3/08 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 071051 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 去除 玻璃 设备 方法 | ||
1.一种密封设备，用于去除磷硅玻璃PSG，其特征在于，包括：
存储氢氟酸溶液的第一密封容器和放置硅片的第二密封容器，其中，第一密封容器包括第一进气口和第一出气口，第二密封容器包括第二进气口和第二出气口，所述第一进气口连接N2输入管路，第一出气口连接第二进气口，第二出气口连接废气排放管路。
2.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述第二密封容器为增加了一个进气口的扩散炉。
3.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述第二密封容器为与扩散炉的硅片输出口相连的密封容器。
4.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，第一密封容器的材料为聚丙烯。
5.一种去除磷硅玻璃PSG的方法，应用权1所述的设备，其特征在于，该方法包括：
将扩散完成后的硅片放置在第二密封容器中；
将N2通入到氢氟酸溶液中，通过N2将含水的氟化氢气体通入第二密封容器中，其中，所述氢氟酸溶液存储在第一密封容器中；
第二密封容器中，含水的氟化氢气体与硅片表面的PSG反应，去除硅片表面的PSG；
从第二密封容器中排出反应生成物。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述的氢氟酸溶液的浓度为30%-40%。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述的N2的流量为200sccm-1000sccm。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述的含水的氟化氢与硅片表面的PSG反应的时间为10s-30s。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述的含水的氟化氢与硅片表面的PSG反应的温度为650°C-800°C。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英利能源（中国）有限公司，未经英利能源（中国）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210442267.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：无钉装订器
- 下一篇：具有红外特征的金属效果油墨
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
