[发明专利]用于分离多个裸片的方法及用于分离多个裸片的加工设备

说明书

技术领域

各实施方式总体上涉及用于分离多个裸片（die）的方法以及用于分离多个裸片的加工设备。 

背景技术

裸片（例如，半导体裸片、例如半导体芯片）通常是通过切割晶圆（wafer）来从晶圆分离的。传统上，是通过锯切晶圆来使裸片彼此分离的。锯切会导致以下影响，诸如碎裂和裂缝形成，而这反过来会影响到芯片的可靠性或甚至影响到电气功能性。 

发明内容

各实施方式提供了一种用于分离多个裸片的方法。该方法可以包括：从包括多个裸片的载体上选择性地去除一个或多个部分，以沿着选择性去除的一个或多个部分来分离多个裸片，其中该一个或多个部分位于裸片之间；以及在裸片的背面上随后形成用于封装裸片的至少一个金属化层。 

附图说明

在附图中，相同的参考符号通常指代遍及不同示图的相同的部分。附图不必按照比例绘制，而是重点通常在于说明本发明的原理。在以下描述中，将参考以下附图来描述本发明的各实施方式，附图中： 

图1示出了根据实施方式的用于分离多个裸片的方法。 

图2A至图2I示出了根据实施方式的用于分离多个裸片的方法。 

图3示出了根据实施方式的用于分离多个裸片的加工设备。 

具体实施方式

以下的详细描述所参照的附图以示意性的方式示出了可以实践本发明的具体细节和实施方式。 

词语“示例性”在本文中用于表示“用作示例、实例或例子”。本文中描述为“示例性”的任何实施方式和设计不是必须被构思为比其他实施方式或设计更优选或有利。 

在本文中用于描述使特征（例如层）形成在侧面或表面“上”的词语“在…上”，可以用于表示特征（例如层）可以“直接地”形成（例如直接接触于）在所指的侧面或表面“上”。在本文中用于描述使特征（例如层）形成在侧面或表面“上”的词语“在…上”，可以用于表示在所指的侧面或表面与所形成的层之间布置有一个或多个附加层的情况下，特征（例如层）可以“间接地”形成在所指的侧面或表面“上”。 

各实施方式涉及用于晶圆切割（即分离多个裸片），以及用于沉积背面金属同时防止背面金属沉积在切割槽中的方法。 

传统上，通过锯断载体来使一个裸片与另一个裸片分离，来将晶圆中的裸片（例如半导体裸片、例如半导体芯片）独立化（即分离）。诸如半导体晶圆的载体可以包括一个或多个裸片，例如一个、两个、三个、四个、五个、六个、七个、八个、九个、十个或甚至更多裸片（诸如几十个或几百个裸片）。一个或多个半导体器件（例如二极管、例如晶体管、例如双 极结晶体管、例如场效应晶体管、例如电阻、例如电容、例如电感、例如闸流晶体管）可以形成在载体中。裸片可以包括一个或多个半导体器件。 

一个或多个半导体器件可以根据前端线FEOL工艺来处理，其中前端线FEOL工艺包括至少一个用于形成半导体器件的有源电子部分（例如形成源/漏区域、沟道区域、p掺杂区域、n掺杂区域）的工艺。 

可以执行后端线BEOL工艺，其中可以在载体内形成用于电连接一个或多个半导体的金属化层。 

在FEOL和BEOL工艺之后，多个裸片仍然是单个载体（即，晶圆）的部分。换言之，多个裸片形成载体的一部分并且该多个裸片仍没有被独立化，即被分离为独立裸片。背面金属化层可以沉积在裸片上，而裸片仍然是单个载体的一部分。背面金属化层可以是沉积在载体背面上并因此沉积在裸片背面上的金属层（例如金），该裸片仍然是单个载体的一部分。背面金属化可以包括形成位于多个裸片中的至少一个裸片与芯片封装之间的、用于将裸片附接至芯片封装的共晶粘合剂。 

在将背面金属化层沉积在载体背面上，并且因此沉积在裸片的背面上之后，可通过将载体的区域（例如切口区域）锯断来将作为单个载体的一部分的多个裸片分离，从而将多个裸片分离为独立裸片。然后，可以将独立裸片附接至芯片封装。 

图1A示出了根据实施方式的用于分离多个裸片的方法100。 

该方法包括：从包括多个裸片的载体选择性地去除一个或多个部分，来沿着选择性去除的一个或多个部分分离多个裸片，其中该一个或多个部分位于裸片之间（在110中）；并且随后在裸片的背面上形成用于封装裸片的至少一个金属化层（在120中）。 

图2A到图2I示出了根据实施方式的根据用于分离多个裸片的方法100的方法。