[发明专利]用于分离多个裸片的方法及用于分离多个裸片的加工设备

权利要求书

1.一种用于分离多个裸片的方法，所述方法包括：

从包括多个所述裸片的载体中选择性地去除一个或多个部分，以沿着选择性去除的一个或多个部分分离多个所述裸片，其中，所述一个或多个部分位于所述裸片之间；以及随后在所述裸片的背面上形成用于封装所述裸片的至少一个金属化层。

2.根据权利要求1所述的方法，包括：

由支撑材料保持分离的多个裸片；以及

在随后在所述裸片的背面上形成用于封装所述裸片的所述至少一个金属化层之后，从所述支撑材料剥离多个所述裸片。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括：

由支撑材料保持包括多个所述裸片的所述载体，

其中，所述载体由所述支撑材料从载体正面保持；并且

其中，从载体选择性地去除一个或多个部分包括从载体背面选择性地去除所述一个或多个部分。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，从载体选择性地去除一个或多个部分包括在载体背面上形成掩模层，其中所述掩模层允许所述一个或多个部分被选择性地去除并且阻止所述裸片被去除

5.根据权利要求1所述的方法，其中，从载体选择性地去除一个或多个部分包括从载体背面选择性地去除所述一个或多个部分，直到形成在载体前面的停止层从所述载体背面露出。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，从所述载体选择性地去除一个或多个部分包括通过化学蚀刻来选择性地去除所述一个或多个部分。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，从所述载体选择性地去除一个或多个部分包括通过等离子体蚀刻来选择性地去除所述一个或多个部分。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在随后形成所述至少一个金属化层之前，将填充材料沉积在分离多个所述裸片的一个或多个空间中。

9.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在多个所述裸片的背面上形成一个或多个层，以形成所述至少一个金属化层。

10.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在多个所述裸片的背面上形成一个或多个层并且将填充材料沉积在分离多个所述裸片的一个或多个空间中，

其中，在随后在所述裸片的背面上形成用于封装所述裸片的所述至少一个金属化层之前，执行所述一个或多个层的形成和所述填充材料的沉积。

11.根据权利要求8所述的方法，其中：

将填充材料沉积在分离多个所述裸片的所述一个或多个空间中防止所述至少一个金属化层形成在分离多个所述裸片的所述一个或多个空间中。

12.根据权利要求9所述的方法，其中：

在所述多个裸片的背面上形成一个或多个层包括在多个所述裸片的背面上形成用于电化学沉积所述至少一个金属化层的晶种层。

13.根据权利要求9所述的方法，其中：

在多个所述裸片的背面上形成一个或多个层包括在多个所述裸片的背面上形成阻挡层。

14.根据权利要求9所述的方法，其中：

在多个所述裸片的背面上形成一个或多个层包括在分离多个所述裸片的所述一个或多个空间中形成一个或多个层。

15.根据权利要求1所述的方法，其中，随后在多个所述裸片的背面上形成至少一个金属化层包括随后在多个所述裸片的背面上形成背面金属化层。

16.根据权利要求1所述的方法，其中，随后在多个所述裸片的背面上形成至少一个金属化层包括随后形成至少一个金属化层，所述至少一个金属化层用于形成多个所述裸片中的至少一个裸片与芯片封装之间的共晶粘合剂。

17.根据权利要求1所述的方法，其中，封装所述裸片包括将多个所述裸片中的至少一个裸片通过所述至少一个金属化层附接至芯片封装。

18.根据权利要求17所述的方法，其中，所述芯片封装包括键合线。

19.根据权利要求17所述的方法，其中，所述芯片封装包括用于承载裸片的芯片载体。

20.根据权利要求8所述的方法，还包括：

从分离多个所述裸片的所述一个或多个空间中去除所述填充材料。