[发明专利]封装结构及其制法

权利要求书

1.一种封装结构，其包括：

一中介板，其具有相对的第一侧与第二侧；

多个导电穿孔，其形成于该中介板中并连通该第一侧与第二侧，且各该导电穿孔具有相对的第一端与第二端，而该第一端与该中介板的第一侧为同侧，该导电穿孔包含导电柱及形成于该导电柱与该中介板之间的绝缘层，该导电柱的一端凸出该中介板的第二侧，且该导电柱位于该中介板部分的断面尺寸与该导电柱凸出该中介板部分的断面尺寸相同；

多个焊锡凸块，其接触结合于该导电柱凸出该中介板的部分，且该焊锡凸块的断面尺寸与该导电柱凸出该中介板部分的断面尺寸相同；以及

至少一外部件，其结合该些焊锡凸块，该外部件为半导体组件或半导体封装组。

2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，该中介板为含硅的板体。

3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，该导电穿孔为导电硅穿孔。

4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，该导电柱为铜柱。

5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，该封装结构还包括线路重布结构，其形成于该中介板的第一侧上且电性连接该些导电穿孔。

6.根据权利要求5所述的封装结构，其特征在于，该线路重布结构上结合另一外部件。

7.根据权利要求6所述的封装结构，其特征在于，该另一外部件为半导体组件、半导体封装组或封装基板。

8.一种封装结构的制法，其包括：

提供一中介板，该中介板具有相对的第一侧及第二侧，且该第一侧上具有多个凹孔；

形成导电凸块于该些凹孔的部分空间中；

形成导电穿孔于该些凹孔中的导电凸块上，该导电穿孔包含导电柱及形成于该导电柱与该中介板之间的绝缘层，且各该导电穿孔具有相对的第一端与第二端，该第一端与该中介板的第一侧为同侧，而该第二端接触该导电凸块；

移除该中介板的第二侧的部分材质，以令各该导电凸块及该导电柱的一端凸出该中介板的第二侧，且该导电凸块的断面尺寸与该导电柱凸出该中介板部分的断面尺寸相同；以及

结合至少一外部件于该些导电凸块上。

9.根据权利要求8所述的封装结构的制法，其特征在于，该中介板为含硅的板体。

10.根据权利要求9所述的封装结构的制法，其特征在于，该导电穿孔为导电硅穿孔。

11.根据权利要求8所述的封装结构的制法，其特征在于，形成该导电凸块的材质为焊锡材料。

12.根据权利要求8所述的封装结构的制法，其特征在于，该导电凸块以电镀或沉积方式形成。

13.根据权利要求8所述的封装结构的制法，其特征在于，该导电柱为铜柱。

14.根据权利要求8所述的封装结构的制法，其特征在于，该导电柱以电镀或沉积方式形成。

15.根据权利要求8所述的封装结构的制法，其特征在于，该外部件为半导体组件、半导体封装组或封装基板。

16.根据权利要求8所述的封装结构的制法，其特征在于，该制法还包括形成线路重布结构于该中介板的第一侧上，且该线路重布结构电性连接该些导电穿孔。

17.根据权利要求16所述的封装结构的制法，其特征在于，该制法还包括结合另一外部件于该线路重布结构上。

18.根据权利要求17所述的封装结构的制法，其特征在于，该另一外部件为半导体组件、半导体封装组或封装基板。