[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及其制造方法、显示装置。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT-LCD）具有体积小、功耗低、无辐射等优点，在平板显示领域中占据了主导地位。其中，高级超维场转换（Advanced super Dimension Switch，ADS）型TFT-LCD具有宽视角、高开口率、高透过率等优点而被广泛的应用。

ADS技术主要通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场转换技术可以提高TFT-LCD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹（push Mura）等优点。其中HADS（高开口率-高级超维场转换）是ADS技术中的一种重要实现形式。

目前，HADS阵列基板的制造过程一般需要经过六次掩膜版构图工艺，具体如下：通过第一次掩膜版构图工艺形成栅极和栅线的图形；通过第二次掩膜版构图工艺形成有源层图形；通过第三次掩膜版构图工艺形成像素电极图形（即板状电极）；通过第四次掩膜版构图工艺形成数据线、源极、漏极和TFT沟道的图形；通过第五次掩膜版构图工艺形成钝化层的图形；通过第六次掩膜版构图工艺形成条状的公共电极图形（即狭缝电极）。如果为了提高性能而增加树脂层，则需要再增加一次掩膜版构图工艺。因此现有技术中，掩模板的使用数量较多，导致制造成本较高。

发明内容

本发明实施例提供了一种阵列基板及其制造方法、显示装置，用于减少掩膜版的使用数量，降低制造成本。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

本发明提供一种阵列基板的制造方法，包括：

在基板上形成栅极的图形；

通过一次构图工艺，形成栅绝缘层、有源层的图形、漏极源极的图形；

形成第一透明电极的图形；

形成钝化层，通过掩膜版构图工艺，对需要形成TFT沟道的TFT间隔区域的所述钝化层进行刻蚀，在所述钝化层上形成对应TFT沟道区域的间隔图形；

在所述基板上沉积第二透明电极层，通过一次构图工艺，对所述第二透明电极层进行刻蚀，形成第二透明电极的图形，再对TFT沟道区域的所述漏极源极的图形和部分所述有源层的图形进行刻蚀，形成漏极、源极和TFT沟道的图形。

本发明进一步提供一种阵列基板，所述阵列基板包括栅极、栅线、栅绝缘层、有源层、漏极、源极、数据线；

所述源极、漏极上还包括树脂层、第一透明电极层、钝化层、第二透明电极层；其中，所述第二透明电极层包括具有狭缝的第二透明电极和连接电极；

所述树脂层和所述钝化层上设有过孔，所述连接电极位于所述过孔中；

所述第一透明电极与所述漏极通过所述连接电极形成电连接。

本发明进一步提供一种显示装置，包括上述的阵列基板。

与现有技术相比，本发明所提供的上述技术方案具有如下优点：通过掩膜版构图工艺，刻蚀出第二透明电极的图形之后，继续刻蚀TFT沟道区域的漏极源极的图形和部分有源层的图形，形成漏极、源极和TFT沟道的图形。因此，本发明提供的技术方案实现了在一次掩膜版构图工艺中，形成第二透明电极的图形，以及漏极、源极和TFT沟道的图形，从而节省了掩膜版的使用数量，降低了阵列基板的制造成本。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明的实施例1中第一次掩膜版构图工艺之后的平面示意图；

图2为图1中A-A向的剖面示意图；

图3为本发明的实施例1中第二次掩膜版构图工艺之后的平面示意图；

图4为图3中A-A向的剖面示意图；

图5为本发明的实施例1中第三次掩膜版构图工艺之后的平面示意图；

图6为图5中A-A向的剖面示意图；

图7为本发明的实施例1中第四次掩膜版构图工艺之后的平面示意图；

图8为图7中A-A向的剖面示意图；