[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

在基板上形成包括栅极的图形；

形成包括栅绝缘层、有源层、数据线、漏源中间图形；

形成包括第一透明电极的图形；

在钝化层上形成对应TFT沟道区域的间隔图形；

形成具有狭缝的第二透明电极的图形，将漏源中间图形打开间隔，形成漏极、源极和TFT沟道的图形。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：形成包括栅绝缘层薄膜、有源层薄膜、漏源金属薄膜，通过一次构图工艺，形成包括栅绝缘层、有源层、数据线、漏源中间图形。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：所述在所述基板上形成包括第一透明电极的图形的步骤，具体包括：

在所述基板上沉积第一透明电极层薄膜；

通过一次构图工艺，对所述第一透明电极层薄膜进行构图，形成包括第一透明电极的图形。

4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于：所述在所述基板上沉积第一透明电极层的步骤之前还包括：在所述基板上沉积树脂层薄膜；

则在所述第一透明电极层上形成所述第一透明电极的图形的同时，在所述第一透明电极层上形成过孔区域图形；

所述对需要形成TFT沟道的TFT间隔区域的所述钝化层进行构图的步骤的同时，在所述钝化层形成对应TFT沟道区域的间隔图形和过孔区域图形；

进一步包括：对所述过孔区域和所述TFT沟道区域的所述树脂层进行构图，在所述树脂层上形成对应TFT沟道区域的沟道图形和过孔区域图形；

所述在所述基板上沉积第二透明电极层，并通过一次构图工艺，形成具有狭缝的第二透明电极的图形的同时，还形成连接电极的图形；其中，所述连接电极位于所述过孔区域，用于电连接所述第一透明电极与所述漏极。

5.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于：所述在所述基板上沉积第一透明电极层的图形的步骤之前还包括：在所述基板上沉积树脂层薄膜；

则所述对需要形成TFT沟道的TFT间隔区域的所述钝化层进行构图的步骤的同时，还对第一过孔区域和第二过孔区域的所述钝化层进行构图；其中，所述第一过孔区域位于所述第一透明电极层上方，所述第二过孔区域位于所述漏极上方；

进一步包括：对所述TFT沟道区域和所述第二过孔区域的所述树脂层进行构图，在所述树脂层上形成对应TFT沟道区域的间隔图形和第二过孔区域图形；

所述在所述基板上沉积第二透明电极层，并通过一次构图工艺，对所述第二透明电极层进行构图，形成第二透明电极的图形的步骤的同时，还形成连接电极的图形；其中，所述连接电极连通所述第一过孔区域和所述第二过孔区域，用于电连接所述第一透明电极与所述漏极。

6.根据权利要求4或5所述的制造方法，其特征在于：所述树脂层的厚度为1.5至2.0μm。

7.一种阵列基板，所述阵列基板包括栅极、栅线、栅绝缘层、有源层、漏极、源极、数据线；

其特征在于：所述源极、漏极上包括树脂层、第一透明电极、钝化层、第二透明电极层；其中，所述第二透明电极层包括具有狭缝的第二透明电极和连接电极；

还包括过孔，形成在所述树脂层和所述钝化层中，所述连接电极位于所述过孔中；

所述第一透明电极与所述漏极通过所述连接电极形成电连接。

8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于：所述过孔穿过所述第一透明电极，所述第一透明电极在所述过孔的侧壁与所述连接电极形成电连接，所述漏极在所述过孔的底部与所述连接电极形成电连接。

9.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于：所述过孔具体包括第一过孔和第二过孔；其中，所述第一过孔形成在所述钝化层中，且露出所述第一透明电极；所述第二过孔形成在所述钝化层和所述树脂层中，并露出所述漏极；

所述连接电极的一端在所述第一过孔中与所述第一透明电极形成电连接，所述连接电极的另一端在所述第二过孔中与所述漏极形成电连接。

10.一种显示装置，其特征在于：包括权利要求7-9任一项所述的阵列基板。