[发明专利]一种有机电致发光器件的封装结构和封装方法

说明书

技术领域

本发明属于有机光电器件的封装技术领域，具体涉及一种有机电致发光器件的封装结构和封装方法。 

背景技术

有机电致发光器件（OLED）具有主动发光、亮度高、全彩色显示、驱动电压低、器件厚度薄、可实现柔性显示等特点，在大屏幕平板显示器和柔性显示器方面具有良好的应用前景。

有机电致发光器件中的有机发光材料对水蒸气和氧气非常敏感，很少量的水蒸气和氧气就能损害有机发光材料，使器件的发光性能劣化。因此，要保证器件具有能够满足商业应用的使用寿命，水蒸气和氧气对器件的封装材料的渗透率应低于10^-6g/m²/day的水平。

传统封装有机电致发光器件的基板与盖板之间的封接材料，在多数应用中，采用紫外固化环氧树脂（也称UV胶），其缺点是对水和氧气的阻隔性能比较差，例如水对厚度为1毫米的紫外固化环氧树脂和热固化环氧树脂薄片的渗透率为10⁰～10^-1g/m²/day量级，不能满足长寿命有机电致发光器件的封装要求。

为了解决长寿命有机电致发光器件的封装问题，可以采用低熔点金属，如铟及铟合金作为器件的封装材料进行热熔封。在现有的铟封接有关专利中，采用封接时对整个器件进行加热的方法，以熔化铟封接层完成面板和盖板间的封接。这种方法的缺点是会导致器件中部有机发光材料的温度与器件边缘封接部位的温度一样高，容易使不能承受较高温度的有机发光材料损坏。而封接温度过低的话，又会造成铟或铟合金熔化不足，不能形成致密的铟封接层，导致封接层漏气。

发明内容

为了解决有机发光器件铟封接时器件中部有机发光材料温升过高的问题。

本发明采用如下技术方案：一种有机电致发光器件的封装结构，包括基板、盖板及封接层，其特征在于：还包括用于对封接层加热的内置式的电阻加热层。

本发明中所述的基板上设置有ITO电极层，ITO电极层的封接区域上设置有ITO电极绝缘层，封接层上下面均设置有过渡层，基板一侧的过渡层下表面设置电阻加热层，所述电阻加热层表面包覆有绝缘层。

本发明中所述的电阻加热层呈环形，其宽度、厚度和材料均相同，且电阻加热层的两个引出线端之间的电阻加热层长度相等。以保证通过电阻加热层各个边的电流相等，电阻加热层上单位面积的发热功率一致，从而保证封接时封接层各处的温度均匀一致

本发明中所述的基板和盖板的材料可以是玻璃、金属或者云母。

本发明中所述的ITO电极绝缘层以及绝缘层的材料为Al₂O₃或SiO₂，其厚度为0.2～10μm，其宽度比电阻加热层的宽度宽1～2mm。

本发明所述的电阻加热层的材料是镍铬合金，其成分是镍为80%，铬为20%；电阻加热层的材料也可用铁铬铝合金，其成分是铬为12%～28%，铝为4%～7%，铁为84%～65%。电阻加热层的厚度为1～10μm，宽度与封接层的相同。

本发明中所述的过渡层的材料为Au、Ag、Pt或AgCu合金中的一种；AgCu合金的成分是银为5%～45%，余量为铜。过渡层的厚度为0.1～50μm，宽度比封接层的宽度宽0.5～1mm。

本发明中所述封接层的材料为铟、铟锡合金或铟铋合金中的一种，铟锡合金的成分为：铟40～60%，锡60～40%。铟铋合金的成分为：铟60～70%，铋40～30%。封接层的厚度为1～50μm，封接层宽度为0.5～3mm。

本发明还提供一种有机电致发光器件的封装结构的封装方法，包括以下步骤：

（1）在基板镀制有机发光层及阴极层之前，在大气或保护气体气氛环境中，使用热涂覆法或者印刷法，分别在基板和盖板的过渡层表面上涂覆封接层，材料为铟或铟锡合金或铟铋合金，其厚度为1～50μm，特别优选的厚度为2～10μm，宽度为0.5～3mm。

（2）把涂覆好封接层的基板和盖板放置在一个可加热的容器中，加热到高于封接层熔点温度10～20℃，使封接层充分熔化，并与过渡层形成良好的浸润和结合。

（3）在基板上镀制有机发光层和阴极层。

（4）在保护气体气氛环境中，基板的封接层朝上放置在一个平台上，把基板和盖板的封接层对齐叠合，在盖板上放置一重物，使盖板封接层与基板封接层之间的压强为1～2kg/cm²。