[发明专利]一种有机电致发光器件的封装结构和封装方法

权利要求书

1. 有机电致发光器件的封装结构，包括基板、盖板及封接层，其特征在于：还包括用于对封接层加热的内置式的电阻加热层。

2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件的封装结构，其特征在于：所述的基板上设置有ITO电极层，ITO电极层的封接区域上设置有ITO电极绝缘层，封接层上下面均设置有过渡层，基板一侧的过渡层下表面设置电阻加热层，所述电阻加热层表面包覆有绝缘层。

3.根据权利要求2所述的有机电致发光器件的封装结构，其特征在于：所述的电阻加热层的厚度为1～10μm，宽度与封接层的相同，其材料为镍铬合金或铁铬铝合金，所述镍铬合金的成分为镍为80%、铬为20%；所述铁铬铝合金的成分是铬为12%～28%、铝为4%～7%、铁为84%～65%。

4.根据权利要求2所述的有机电致发光器件的封装结构，其特征在于：所述电阻加热层呈环形，其宽度、厚度和材料均相同，且电阻加热层的两个引出线端之间的电阻加热层长度相等。

5.根据权利要求2所述的有机电致发光器件的封装结构，其特征在于：所述的基板和盖板的材料为玻璃、金属或者云母。

6. 根据权利要求2所述的有机电致发光器件的封装结构，其特征在于：所述的ITO电极绝缘层以及绝缘层的材料为Al₂O₃或SiO₂，其厚度为0.2～10μm，其宽度比电阻加热层的宽度宽1～2mm。

7. 根据权利要求2所述的有机电致发光器件的封装结构，其特征在于：所述的过渡层的材料为Au、Ag、Pt或AgCu合金中的一种；AgCu合金的成分是银为5%～45%，余量为铜；过渡层的厚度为0.1～50μm，宽度比封接层的宽度宽0.5～1mm。

8. 根据权利要求2所述的有机电致发光器件的封装结构，其特征在于：所述封接层的材料为铟、铟锡合金或铟铋合金中的一种，铟锡合金的成分为：铟40～60%，锡60～40%；铟铋合金的成分为：铟60～70%，铋40～30%；封接层的厚度为1～50μm，封接层宽度为1～3mm。

9. 根据权利要求1～8任一项所述的有机电致发光器件的封装结构的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）在基板镀制有机发光层及阴极层之前，在大气或保护气体气氛环境中，使用热涂覆法或者印刷法，分别在基板和盖板的过渡层表面上涂覆封接层，材料为铟或铟锡合金或铟铋合金，其厚度为1～50μm，宽度为0.5～3mm。

（2）把涂覆好封接层的基板和盖板放置在一个可加热的容器中，加热到高于封接层熔点温度10～20℃，使封接层充分熔化，并与过渡层形成良好的浸润和结合；

（3）在基板上镀制有机发光层和阴极层；

（4）在保护气体气氛环境中，基板的封接层朝上放置在一个平台上，把基板和盖板的封接层对齐叠合，在盖板上放置一重物，使盖板封接层与基板封接层之间的压强为1～2kg/cm²；

（5）在保护气体气氛下，在电阻加热层的二个引出线端，连接一个输出电压或输出电流可以调节的直流或交流电源，调节电阻加热层通过的电流，使铟封接层的温度高于封接层熔点温度10～20℃，完成基板和盖板的封接。

10.根据权利要求9所述的有机电致发光器件的封装结构的封装方法，其特征在于：所述封接基板和盖板时，保护气体的种类为氮气或惰性气体之一种，纯度为99.99%～99.999%。