[发明专利]半导体发光器件及其制造方法

说明书

相关申请的交叉引用

本申请基于并要求于03/29/12提交的日本专利申请No.2012-078364的优先权；在此通过参考将其整体内容并入本文。

技术领域

在此描述的实施例涉及到半导体发光器件及其制造方法。

背景技术

在一个示例中，半导体发光器件具有半导体元件(下文简单称作发光元件)、包括荧光体的波长变换单元、例如发出蓝光(诸如蓝光LED(发光二极管))的发光元件和例如发出与蓝光互补的黄光的荧光体。一起采用这些部件以获得白光。发出其他波长(即颜色)光的其他荧光体也可以这种方式组合到波长变换单元中以通过组合波长获得其他颜色。

当制造这种类型的半导体发光器件时，通过抛光工艺平滑波长变换单元表面和之后其经受湿法蚀刻技术，以在其上产生粗糙的不规则表面。

通常使用利用真空吸附的机器人设备(例如芯片安装器)将这些常规半导体发光器件安装在基板上，这有利于在安装工艺中拾取和传送半导体发光器件。但是，在这一阶段，由于波长变换单元的表面通过蚀刻被粗糙化变换，因此空气会不期望地经由不规则表面中的间隙进入该表面。当发生这种情况时，机器人设备将不能拾取和/或可靠地传送半导体发光器件。由此造成的拾取失败导致产量降低。

发明内容

总体上，将通过参考下文附图来解释实施例。应当注意，在图中使用相同参考数字表示相似元件，并且为了简略起见，将适当省略相似元件的具体描述。

此处，根据一个实施例，提供一种能使产量提高的半导体发光器件及其制造方法。

为了实现更高产量，根据本实施例的半导体发光器件包括发光单元、发光单元的主表面、包括荧光体并被安装在主表面上的波长变换单元、以及在波长变换单元的顶部上的透明树脂。该透明树脂比波长变换单元具有大的弹性模量和/或高的肖氏硬度。

根据该实施例的半导体发光器件的制造方法能够制造一种器件，其具有发光单元、包含荧光体并且被设置在发光单元的主表面上的波长变换单元、以及设置在波长变换单元的顶部上的透明树脂。该半导体发光器件的制造方法包括涉及在发光单元的主表面上形成波长变换单元的工序，以及在波长变换单元的顶部上形成透明树脂以具有比波长变换单元大的弹性模量和/或高的肖氏硬度的工序。

附图说明

图1是示出根据一个实施例的半导体发光器件的视图。图1是半导体发光器件的示意性截面图。

图2是示出由形成在基板上的多个发光单元发出的光的波长分布的示意图。

图3A和3B是说明波长与色度之间关系的示意性曲线图。

图4A至4E是说明根据一个实施例的半导体发光器件的制造方法的步骤的示意性截面图。

图5A至5D是说明图4A-4E的半导体发光器件的处理方法的步骤的截面图。

图6A至6D是示出波长变换单元的各实施例的截面图。

具体实施方式

此处，举例说明具有多个发光单元的半导体发光器件(即多芯片型半导体发光器件)。

图1是说明根据在此公开的实施例制造的半导体发光器件1的截面图。如图1所示，在半导体发光器件1中，提供有发光单元2、电极部分3、电极部分4、结合部5、引线部分6、密封部分7和波长变换单元8。发光单元2包括多个发光子单元，当一起采用时，它们构成发光单元2。虽然半导体发光器件1可包括多个发光单元2，但是本文中仅详细描述单个发光单元2。

发光单元2包括主表面M1和主表面M2。主表面M2与主表面M1相对。在每个发光子单元2中，提供有半导体部分2a、有源部分2b和半导体部分2c。

可通过使用n-型氮化物半导体，诸如GaN(氮化镓)、AlN(氮化铝)、AlGaN(氮化铝镓)和InGaN(氮化铟镓)等形成半导体部分2a。

有源部分2b提供在半导体部分2a和半导体部分2c之间。有源部分2b可具有由阱层构成的量子阱结构，其通过重组空穴和电子发光。有源部分2b还包括阻挡层(包覆层)，其包括大于阱层带隙的带隙。但是，有源部分2b的结构不限于量子阱结构。可以适当选择能够发出光的替代结构。

半导体部分2c能够由p型氮化物半导体，诸如GaN、AlN、AlGaN和InGaN等形成。

发光单元2可以是其峰值发光波长在350nm-600nm范围内的发光二极管，或者具有相似特性的其他部件。