[发明专利]半导体发光器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

发出光的发光单元；

波长变换单元，包括荧光体并被提供在所述发光单元的表面上；以及

透明树脂，被提供在所述波长变换单元的顶部上，其中：

所述透明树脂比所述波长变换单元具有大的肖氏硬度。

2.如权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述透明树脂具有大于45的肖氏D硬度。

3.如权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述波长变换单元和所述透明树脂的组合厚度在所述半导体发光器件的整个截面范围内几乎恒定。

4.如权利要求2所述的半导体发光器件，其中，所述波长变换单元和所述透明树脂的组合厚度在所述半导体发光器件的整个截面范围内几乎恒定。

5.如权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述波长变换单元的厚度对应于所述波长变换单元中的荧光体的量。

6.如权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述透明树脂具有比所述波长变换单元的折射率低的折射率。

7.一种半导体器件，包括：

发出光的发光单元；

包含荧光体的波长变换单元，耦合到所述发光单元的表面并具有变化厚度；以及

透明树脂，被提供在所述波长变换单元的顶部上，其中所述透明树脂具有比所述波长变换单元的折射率低的折射率。

8.如权利要求7所述的半导体发光器件，其中，所述透明树脂比所述波长变换单元具有大的弹性模量。

9.如权利要求7所述的半导体发光器件，其中，所述透明树脂比所述波长变换单元具有大的肖氏硬度。

10.如权利要求7所述的半导体发光器件，其中，所述波长变换单元和所述透明树脂的组合厚度在所述半导体发光器件的整个截面范围内几乎恒定。

11.一种用于半导体发光器件的制造方法，所述方法包括：

通过在基板上形成第一半导体层、在所述第一半导体层上形成有源区以及在所述有源区上形成第二半导体层来形成多个发光单元；

去除所述基板；以及

通过在所述第一半导体层之上涂覆混合有荧光体的树脂来形成波长变换单元，所述树脂被涂覆成具有基于所述多个发光单元中的波长发射特性的差异的变化厚度。

12.如权利要求11所述的方法，所述方法还包括在所述波长变换单元的顶部上形成透明树脂，所述透明树脂具有基于所述波长变换单元的变化厚度的变化厚度。

13.如权利要求12所述的方法，其中，在所述波长变换单元的顶部上形成所述透明树脂包括使所述透明树脂形成为比所述波长变换单元具有大的肖氏硬度。

14.如权利要求13所述的方法，其中，所述透明树脂具有大于45的肖氏D硬度。

15.如权利要求12所述的方法，其中，形成所述树脂以使得所述波长变换单元和所述透明树脂的组合厚度在所述半导体发光器件的整个截面范围内恒定。

16.如权利要求15所述的方法，还包括：

确定由所述多个发光单元中的每一个发出的光的波长；以及

基于所确定的由所述多个发光单元中的每一个发出的光的波长，确定所述波长变换单元的所述树脂中的所述荧光体的量的分布，其中所述波长变换单元的所述变化厚度对应于所述波长变换单元中的所述荧光体的量。

17.如权利要求16所述的方法，其中，形成所述透明树脂包括使所述透明树脂形成为比所述波长变换单元具有低的折射率。