[发明专利]包括两个功率半导体芯片的装置及其制造

说明书

技术领域

本发明涉及一种包括两个功率半导体芯片的装置及其制造方法。

背景技术

功率半导体芯片是被设计成应对相当大的功率级的特定类型的半导体芯片。特别地，对于电流和/或电压的切换和控制而言，功率半导体芯片是适当的。它们可以作为功率MOSFET、IGBT、JFET、功率双极晶体管或者功率二极管实现。能够在大多数电源、DC到DC转换器和马达控制器中发现功率半导体芯片。对于特定应用诸如半桥电路，功率半导体芯片可以在彼此顶上堆叠。

附图说明

附图被包括用于提供对实施例的进一步的理解并且结合在本说明书中并且构成它的一个部分。附图示意实施例并且与说明书一起用于解释实施例的原理。将易于理解其它实施例和实施例的预期优点中的很多优点，因为通过参考以下详细说明，它们变得更好理解。附图的元件并不是必要地相对于彼此成比例。类似的附图标记标注相应的类似的部分。

图1概略地示意包括在彼此上堆叠的两个功率半导体芯片的装置的一个实施例的截面视图；

图2A-2E概略地示意包括在彼此顶上安装两个功率半导体芯片和两个接触夹的方法的一个实施例的截面和顶平面视图，其中两个功率半导体芯片均具有在一个端面上的源极和栅极接触垫和在另一个端面上的漏极接触垫；

图3A-3D概略地示意包括在彼此顶上安装两个功率半导体芯片和两个接触夹的方法的一个实施例的截面和顶平面视图，其中半导体芯片之一具有在一个端面上的源极和栅极接触垫和在另一个端面上的漏极接触垫，并且另一个功率半导体芯片具有在一个端面上的漏极和栅极接触垫和在另一个端面上的源极接触垫；

图4概略地示意包括被安装在电路板上的在图2E中示意的装置的系统的一个实施例的截面视图；

图5概略地示意包括被安装在电路板上的在图3D中示意的装置的系统的一个实施例的截面视图；并且

图6示出半桥电路的基本电路。

具体实施方式

在以下详细说明中，对于附图进行参考，附图形成它的一个部分并且在附图中通过示意方式示出可以在其中实践本发明的具体实施例。在这方面，方向术语诸如“顶”、“底”、“前”、“后”、“首”、“尾”等是参考所描述的图（一幅或者多幅）的定向使用的。因为实施例的构件能够被以多种不同的定向定位，所以方向术语用于示意的意图而绝非进行限制。要理解在不偏离本发明的范围的情况下，可以利用其它实施例并且可以作出结构或者逻辑变化。因此，以下详细说明不要被以限制性的意义理解，并且本发明的范围由所附权利要求限定。

要理解在这里描述的各种示例性实施例的特征可以相互组合，除非具体地另有指出。

如在本说明书中采用地，术语“耦接”和/或“电耦接”并非旨在意指元件必须被直接地耦接到一起；可以在“耦接”或者“电耦接”的元件之间提供居间的元件。

在下面描述了包含一个或者多个半导体芯片的装置。半导体芯片可以具有不同的类型，可以利用不同的技术制造并且可以包括例如集成电、光电或者机电电路或者无源元件。集成电路可以例如被设计成逻辑集成电路、模拟集成电路、混合信号集成电路、功率集成电路、存储器电路或者集成无源元件。进而，半导体芯片可以被配置成所谓的MEMS（微机电系统）并且可以包括微机械结构，诸如桥、膜或者舌结构。半导体芯片可以被配置成传感器或者致动器，例如压力传感器、加速度传感器、旋转传感器、磁场传感器、电磁场传感器、麦克风等。半导体芯片不需要从特定的半导体材料例如Si、SiC、SiGe、GaAs制造，并且进而可以包含不是半导体的无机和/或有机材料，诸如例如绝缘体、塑料或者金属。而且，半导体芯片可以被封装或者不被封装。