[发明专利]半导体封装件的制法

权利要求书

1.一种半导体封装件，其包括：

封装胶体，其具有相对的顶面及底面；

至少一半导体芯片，其嵌埋于该封装胶体内，该半导体芯片具有相对的作用面、非作用面及与该作用面与非作用面连接的侧面，且该半导体芯片的作用面端凸伸出该封装胶体的底面，其中，该半导体芯片的作用面上还具有多个电极垫；

定位件，其形成于该封装胶体的部分底面上，包覆凸伸出该封装胶体底面的该半导体芯片的侧面，并外露出该半导体芯片的作用面；以及

线路增层结构，其形成于该半导体芯片的作用面及封装胶体底面上的定位件上。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该定位件形成于该封装胶体的整个底面上。

3.根据权利要求1或2所述的半导体封装件，其特征在于，该定位件还延伸形成于该半导体芯片与封装胶体之间。

4.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该线路增层结构具有至少一介电层、形成于该介电层上的增层线路、形成于该增层线路上的防焊层以及形成于该介电层中的导电盲孔以电性连接该增层线路和该电极垫。

5.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该线路增层结构还形成于该封装胶体底面上。

6.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该线路增层结构还具有外露的电性连接垫。

7.根据权利要求6所述的半导体封装件，其特征在于，该半导体封装件还包括导电凸块，其形成于该电性连接垫上。

8.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该半导体封装件还包括设于该封装胶体顶面上的支撑层。

9.根据权利要求8所述的半导体封装件，其特征在于，该支撑层为硅、玻璃、砷化锗、砷化铟、水晶、蓝宝石或绝缘层硅晶。

10.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该定位件的材料为聚合物。

11.根据权利要求10所述的半导体封装件，其特征在于，该聚合物为聚酰亚胺、环氧树脂或苯并环丁烯聚合物。

12.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该封装胶体的材料为Ajinomoto Build-up Film、聚酰亚胺、硅氧树脂、氧化硅、环氧化物或苯并环丁烯。

13.一种半导体封装件的制法，其包括：

提供一表面上设有至少一半导体芯片的承载件，其中，该半导体芯片具有相对的作用面、非作用面及与该作用面与非作用面连接的侧面，且该半导体芯片的作用面借由软质层贴附于该承载件上；

形成定位件于该半导体芯片的作用面端与承载件的交界处，以包覆该半导体芯片的部分侧面；

形成封装胶体于该定位件及该半导体芯片上，以使该半导体芯片嵌埋于该封装胶体中，其中，该封装胶体具有相对的顶面和与该软质层同侧的底面；

移除该承载件与软质层，以外露出该半导体芯片的作用面与封装胶体底面上的定位件；以及

形成线路增层结构于该半导体芯片的作用面与定位件上。

14.根据权利要求13所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该定位件还形成于该半导体芯片的非作用面及全部侧面上。

15.根据权利要求13所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该承载件表面上未设有该半导体芯片的部份形成有该定位件。

16.根据权利要求13所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该线路增层结构还形成于该封装胶体底面上。

17.根据权利要求13所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该制法还包括于形成该封装胶体前，烘烤该定位件。

18.根据权利要求13所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该制法还包括于移除该承载件与软质层之前，于该封装胶体的顶面设置支撑层，以令该封装胶体夹置于该支撑层与定位件之间。

19.根据权利要求13所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该半导体芯片的作用面上还具有多个电极垫，且该线路增层结构具有至少一介电层、形成于该介电层上的增层线路、形成于该增层线路上的防焊层以及形成于该介电层中的导电盲孔以电性连接该增层线路和电极垫。

20.根据权利要求19所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该线路增层结构还具有外露的电性连接垫，且该制法还包括于该电性连接垫上形成导电组件。