[发明专利]嵌入式外延外基区双极晶体管制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种双极晶体管的制作方法，尤其涉及一种低成本的嵌入式外延外基区双极晶体管制作方法。

背景技术

嵌入式外延外基区双极晶体管由于很好的克服了TED(Transient enhanced diffusion)瞬时增强扩散效应在传统的双极晶体管的性能上有很大的提高。

嵌入式外延外基区双极晶体管，至少包括集电区、位于集电区上的基区、外基区、位于基区上的发射极以及所述发射极两侧的侧墙；外基区采用掺杂选择性外延工艺生长而成，且嵌入在所述集电区内。

制作方法包括以下步骤：

1：制备第一掺杂类型的集电区；

2：在集电区上制备第二掺杂的基区；

3：在基区上依次制备第一介质；

4：光刻、刻蚀去除所述第一介质的裸露部分形成牺牲发射极；

5：刻蚀未被牺牲发射极覆盖的基区，刻蚀厚度大于基区的厚度；

6：在刻蚀所得的机构上制备第二掺杂类型的外基区；

7：淀积第二介质层形成平坦表面，暴露牺牲发射极的上表面；

8：去除部分表层牺牲发射极，得到窗口；

9：在所述窗口的内侧壁制备内侧墙结构；

10：去除未被内侧墙覆盖的牺牲发射极；

11：淀积多晶层；

12：去除步骤10和步骤7中第二介质层的边缘部分，形成发射极；

13：在外基区和发射极表面淀积金属，形成金属氧化物；

14：在所得结构上制备触孔、引出发射极电极和基区电极。

采用上述方法可以制作上述嵌入式外延外基区双极晶体管，但是操作步骤多且较为繁琐，相应的降低了生产效率，提高了生成成本。

发明内容

为克服上述问题，本发明提供一种生产效率高，生成成本低的嵌入式外延外基区双极晶体管制备方法。

为达上述目的，本发明嵌入式外延外基区双极晶体管制备方法包括以下具体步骤：

1：制备第一掺杂类型的集电区；

2：在集电区上制备第二掺杂的基区；

3：在基区上制备介质层；

4：在所述介质层上光刻、刻蚀出发射极窗口；

5：在所述发射极窗口内淀积并平坦化多晶；

6：在所述多晶表面形成一多晶表面氧化层；

7：腐蚀掉所述介质层；

8：制作所述多晶以及所述多晶表面氧化层的侧墙；

9：以所述侧墙以及所述多晶表面氧化层为掩体，刻蚀基区以及集电区；

10：在被蚀刻后的基区和集电区上通过原位掺杂选择性外延制备第二掺杂类型的外基区；

11：在上述结构上制备触孔，引出发射极电极和集区电极。

进一步地，所述步骤6采用高压氧化工艺制备所述多晶表面氧化层。

进一步地，所述步骤5平坦化多晶的方法为CMP化学机械抛光法或etch-back凹蚀。

进一步地，所述介质层为复合介质层；所述复合介质层包括淀积所述基区表面的氧化硅层以及淀积所述氧化硅层的氮化硅层。

进一步地，所述侧墙由氧化硅构成或氮化硅构成。

进一步地，所述步骤9中采用钻刻刻蚀所述基区以及所述集电区位于所述发射极下方部分；

其中，所述发射极下方保留部分所述基区以及所述集电区。

本发明嵌入式外延外基区双极晶体管制备方法的有益效果：

本发明嵌入式外延外基区双极晶体管制备方法，调整了制作步骤的顺序，优先制备发射极窗口，再在发射极窗口内通过淀积多晶、制作多晶表面氧化层，代替了以往方法中采用牺牲发射极逐步形成发射极，减少了步骤(如传统方法中第二介质的淀积以及腐蚀等步骤)，并且步骤的繁琐度也相对降低了(如在窗口的内侧壁制备内侧墙结构)，从而提高了生成效益，同时节省了生产成本。

附图说明

图1-图7是本发明实施例一所述的嵌入式外延外基区双极晶体管的制备方示意图；

图8-图9是本发明实施例例四所述的嵌入式外延外基区双极晶体管的制备方法示意图；

图10是本发明实施例一所述的嵌入式外延外基区双极晶体管的制备方法的流程图。

具体实施方式

下面结合说明书附图对本发明做进一步的描述。

实施例一：

如图1-图8所示，本实施例嵌入式外延外基区双极晶体管制备方法包括以下具体步骤：

1：制备第一掺杂类型的集电区1；

2：在集电区上制备第二掺杂的基区2；