[发明专利]半导体结构及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体领域，特别是涉及一种半导体结构及其制作方法。

背景技术

半导体是指电阻率介于金属和绝缘体之间并有负的电阻温度系数的物质。半导体技术是以半导体为材料，制作成组件及集成电路的技术。半导体的制程类似于盖房子，分成很多层，由下而上逐层依蓝图布局迭积而成，每一层各有不同的材料与功能。

半导体器件在制作过程中常常需要将两种不同介质制作在一起以形成某些特定结构，而两种不同介质制作在一起时必然会形成相接界面。由于不同介质的物理性质通常不同，相接界面的两侧对应的介质所能承受的应力不同。现有的做法是将两种介质直接平滑接触制作在一起形成相接界面，因而所制得的该半导体结构在相接界面附近的介质容易出现剥离（peeling）、破裂或者断裂等问题。

微电子技术是建立在以集成电路为核心的各种半导体器件基础上的高新电子技术。微机电系统（Micro-Electro-Mechanical Systems，MEMS）是将微电子技术与机械工程融合到一起的一种工业技术，MEMS最初大量用于汽车安全气囊，而后以传感器的形式被大量应用在汽车的各个领域，随着MEMS技术的进一步发展，小体积高性能的MEMS产品增势迅猛，目前包括了集微型机构、微型传感器、微型执行器以及信号处理和控制电路、直至接口、通信和电源等于一体的微型器件或系统，在消费电子、医疗等领域也大量出现了MEMS产品的身影。

MEMS组件是以半导体结构为基础组建起来的，一旦出现上述的半导体结构在相接界面附近的介质发生剥离（peeling）、破裂或者断裂的情况，整个MEMS就可能坏掉，导致产品的报废。

发明内容

为此，发明人提供了一种半导体结构及其制作方法以解决现有半导体结构中两种不同介质制作在一起所形成的相接界面附近的介质容易出现剥离、破裂或者断裂的问题，并一同解决以上述半导体结构为基础的MEMS组件因上述问题而坏掉的问题。

为解决上述问题，本发明提供的一种半导体结构，包括：

基底；

形成于所述基底上的介质层，所述介质层包含位于第一区域的第一介质及位于第二区域的第二介质，所述第一介质包围所述第二介质并与所述第二介质相接而形成相接界面；

所述第一介质和/或所述第二介质内形成有保护带。

可选的，所述保护带与所述相接界面之间的距离为1~40μm。

可选的，所述保护带与所述相接界面之间的距离为5~20μm。

可选的，形成在所述第一介质内的保护带由所述第二介质的材料制成，形成在所述第二介质内的保护带由所述第一介质的材料制成。

可选的，所述保护带的宽度为1~20μm。

可选的，所述保护带的宽度为5~20μm。

可选的，所述保护带首位相接，构成保护环。

可选的，所述保护带的各边为直线形、波浪线形、锯齿线形或者不规则的线形。

可选的，所述第一介质和所述第二介质均为氧化硅和碳基材料中的一种，并且两者不相同。

可选的，所述碳基材料为碳（C）、光刻胶（PR）或者聚合物（polymer）。

可选的，所述第一区域为圆形、椭圆形或者多边形，所述第二区域为圆形、椭圆形或者多边形。

可选的，所述半导体结构为MEMS组件。

本发明还提供了一种半导体结构的制作方法，包括：

在基底上形成第一介质；

利用光刻、刻蚀技术，在第一介质内形成孔及包围所述孔的至少一道沟槽；

填充第二介质于所述孔及所述沟槽内。

可选的，在所述光刻、刻蚀中，形成的沟槽为两道。

可选的，所述沟槽的宽度为1~20μm。

可选的，所述孔与所述沟槽之间的距离为1~40μm。

可选的，所述第一介质和所述第二介质均为氧化硅和碳基材料中的一种，并且两者不相同。

可选的，所述碳基材料为碳（C）、光刻胶（PR）或者聚合物（polymer）。与现有技术相比，本发明具有以下优点：

1.由于在介质内增设保护带，可释放和消除介质在相接界面附近的应力，解决了两种介质制作在一起的半导体结构易出现介质的剥离、破裂或者断裂的问题，并一同解决了以所述半导体结构为基础的MEMS组件因所述问题而坏掉的问题。