[发明专利]半导体结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201210425466.7 | 申请日： | 2012-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN102923636A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 毛剑宏;韩凤芹;唐德明 | 申请（专利权）人： | 上海丽恒光微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | B81B1/00 | 分类号： | B81B1/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区张江*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制作方法 | ||
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
基底；
形成于所述基底上的介质层，所述介质层包含位于第一区域的第一介质及位于第二区域的第二介质，所述第一介质包围所述第二介质并与所述第二介质相接而形成相接界面；
所述第一介质和/或所述第二介质内形成有保护带。
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述保护带与所述相接界面之间的距离为1~40μm。
3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述保护带与所述相接界面之间的距离为5~20μm。
4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，形成在所述第一介质内的保护带由所述第二介质的材料制成，形成在所述第二介质内的保护带由所述第一介质的材料制成。
5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述保护带的宽度为1~20μm。
6.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述保护带的宽度为5~20μm。
7.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述保护带首位相接，构成保护环。
8.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述保护带的各边为直线形、波浪线形、锯齿线形或者不规则的线形。
9.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一介质和所述第二介质均为氧化硅和碳基材料中的一种，并且两者不相同。
10.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述碳基材料为碳、光刻胶或者聚合物。
11.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一区域为圆形、椭圆形或者多边形，所述第二区域为圆形、椭圆形或者多边形。
12.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构为MEMS组件。
13.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：
在基底上形成第一介质；
利用光刻、刻蚀技术，在第一介质内形成孔及包围所述孔的至少一道沟槽；
填充第二介质于所述孔及所述沟槽内。
14.如权利要求13所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，在所述光刻、刻蚀中，形成的沟槽为两道。
15.如权利要求13所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述沟槽的宽度为1~20μm。
16.如权利要求13所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述孔与所述沟槽之间的距离为1~40μm。
17.如权利要求13所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第一介质和所述第二介质均为氧化硅和碳基材料中的一种，并且两者不相同。
18.如权利要求17所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述碳基材料为碳、光刻胶或者聚合物。
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