[发明专利]封装结构及其形成方法有效

专利信息
申请号: 201210425205.5 申请日: 2012-10-30
公开(公告)号: CN103515342B 公开(公告)日: 2017-06-09
发明(设计)人: 余振华;吴俊毅;王宗鼎 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L21/60;H01L21/56
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 代理人: 章社杲,孙征
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 封装 结构 及其 形成 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体封装器件,包括:

第一封装部件,包括:

第一多个连接件,位于所述第一封装部件的顶面处;和

第二多个连接件,位于所述顶面处;

第二封装部件,位于所述第一封装部件上方并与所述第一封装部件接合,其中,所述第二多个连接件未接合至所述第二封装部件;

阻焊剂,位于所述第一封装部件的所述顶面上,并且暴露所述第二多个连接件,其中,位于所述第一封装部件和所述第二封装部件之间的间隙没有所述阻焊剂;以及

沟槽,位于所述阻焊剂中,所述沟槽的一部分将所述第二多个连接件与所述第一多个连接件间隔开以用作所述第一封装部件和所述第二封装部件之间分配的底部填充物的阻挡件。

2.根据权利要求1所述的半导体封装器件,其中,所述沟槽包括没有被所述第二封装部件覆盖的沟槽环,并且在自上而下观看所述器件时,所述沟槽环环绕所述第二封装部件。

3.根据权利要求1所述的半导体封装器件,进一步包括设置在所述第一封装部件和所述第二封装部件之间的间隙中的所述底部填充物,其中,所述底部填充物延伸到所述沟槽中。

4.根据权利要求3所述的半导体封装器件,其中,没有底部填充物延伸到所述阻焊剂与所述第一多个连接件的距离比与所述沟槽的距离更远的部分上方。

5.根据权利要求1所述的半导体封装器件,其中,所述第一封装部件是封装衬底。

6.一种半导体封装器件,包括:

封装衬底,包括:

第一多个连接件,位于所述封装衬底顶面处;和

第二多个连接件,位于所述顶面处并且环绕所述第一多个连接件;

顶部封装部件,位于所述第一多个连接件上方并且与所述第一多个连接件接合;

阻焊剂,位于所述封装衬底的所述顶面上并且暴露所述第二多个连接件;以及

沟槽,位于所述阻焊剂中,所述沟槽包括环绕所述第一多个连接件的沟槽环以用作所述封装衬底和所述顶部封装部件之间分配的底部填充物的阻挡件,并且所述第二多个连接件位于所述沟槽环环绕的区域的外部,

其中,在所述封装衬底和所述顶部封装部件之间的间隙中不存在所述阻焊剂。

7.根据权利要求6所述的半导体封装器件,其中,所述沟槽包括位于所述封装衬底和所述顶部封装部件之间的间隙中的部分。

8.根据权利要求6所述的半导体封装器件,其中,所述阻焊剂环绕所述沟槽环。

9.根据权利要求6所述的半导体封装器件,其中,所述沟槽环和所述阻焊剂位于所述沟槽环外的部分之间的界面形成侧壁环,并且没有连接件设置在水平位于所述顶部封装部件的边缘和所述侧壁环之间的区域中。

10.一种用于形成半导体封装器件的方法,包括:

图案化位于第一封装部件顶面上的阻焊剂以暴露第一多个连接件和第二多个连接件,并且形成位于所述阻焊剂中的沟槽,其中,所述沟槽的一部分将所述第一多个连接件与所述第二多个连接件间隔开;

在图案化步骤之后,去除位于相邻的所述第一多个连接件之间的所述阻焊剂的所有部分;以及

将第二封装部件接合至所述第一多个连接件并且使所述第二封装部件位于所述第一封装部件上方,其中,在接合步骤之后,保持暴露所述第二多个连接件,并且所述沟槽包括没有被所述第二封装部件覆盖的部分。

11.根据权利要求10所述的用于形成半导体封装器件的方法,其中,所述沟槽包括环绕所述第一多个连接件的沟槽环,并且自上而下观看所述第一封装部件和所述第二封装部件时,所述沟槽环环绕所述第二封装部件。

12.根据权利要求10所述的用于形成半导体封装器件的方法,进一步包括将底部填充物分配在所述第一封装部件和所述第二封装部件之间的间隙中,其中,所述底部填充物分配在所述沟槽中,并且没有底部填充物分配在所述沟槽外的区域中。

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