[发明专利]一种垂直移位寄存器及其控制方法、IC芯片和TFT面板

说明书

技术领域

本发明涉及薄膜场效应晶体管液晶显示器（TFT-LCD）技术领域，尤其涉及一种垂直移位寄存器及其控制方法、IC芯片和TFT面板。

背景技术

目前，在薄膜场效应晶体管（TFT）面板上，可以包括有：包括多个像素电极的有效显示面积（AA）区（可以用AA表示）、用于对AA区中每个像素电极连接的TFT进行开关控制的垂直移位寄存器（VSR）以及为VSR提供信号的集成电路（IC）芯片（可以用IC表示），TFT面板的结构可以如图1所示。

现有的VSR的结构示意图可以如图2所示，VSR可以包括多个级联的移位寄存器单元（SR），且在每个SR中均包括有复位电路，因此VSR需要IC芯片提供起始移位信号（GSP）和复位信号（RESET）。在现有技术中，IC芯片通过两条信号线来分别为VSR提供GSP信号和RESET信号，因此会导致占用较多的布局布线设计（Layout）空间。在进行VSR电路的布局布线设计时，GSP信号线会设置在VSR电路的最外侧，容易导致静电释放（ESD）的产生。

同时，由于现有的VSR使用的器件较多，导致电路功耗较大，且会导致TFT面板周边电路光透过率较小，若采用无影胶（UV胶）作为密封胶（Seal胶），会使得UV胶的固化受到影响，存在UV胶无法完全固化，或者，虽然可以完全固化，但达到完全固化需要的时间较长的问题。

发明内容

本发明实施例提供一种垂直移位寄存器及其控制方法、IC芯片和TFT面板，用于减少VSR电路布局布线设计空间的占用，减少ESD的产生。

一种垂直移位寄存器，所述垂直移位寄存器包括从第1级移位寄存器单元至第N级移位寄存器单元依次级联的N级移位寄存器单元，所述N为大于1的正整数，其中：

第1级移位寄存器单元的移位信号输入端通过控制线与集成电路IC芯片的输出端连接；

第2级移位寄存器单元至第N级移位寄存器单元中的每一级移位寄存器单元，复位端与反向器的输出端连接，反向器的输入端通过所述控制线与集成电路IC芯片的输出端连接。

一种对如上所述的垂直移位寄存器进行控制的方法，所述方法包括：

将集成电路IC芯片的输出端输出的控制信号作为起始移位信号输入第1级移位寄存器单元的移位信号输入端，将该控制信号经反向后的信号作为复位信号输入第2级移位寄存器单元至第N级移位寄存器单元中的每级移位寄存器单元的复位端。

一种集成电路IC芯片，所述IC芯片的输出端连接如上所述的垂直移位寄存器，向所述垂直移位寄存器提供控制信号。

一种薄膜场效应晶体管TFT面板，所述TFT面板包括如上所述的垂直移位寄存器。

根据本发明实施例提供的方案，垂直移位寄存器可以通过一根控制线与IC芯片连接，垂直移位寄存器第1级移位寄存器单元需要的起始移位信号可以由该控制线直接提供，垂直移位寄存器第2级移位寄存器单元至第N级移位寄存器单元需要的复位信号可以由该控制线经反向器提供，从而减少控制线数量，减少布局布线设计空间的占用，并可以避免将控制线设置在VSR电路的最外侧，有效防止ESD产生。

附图说明

图1为现有技术提供的TFT面板结构示意图；

图2为现有技术提供的VSR的结构示意图；

图3为本发明实施例一提供的VSR的结构示意图；

图4为本发明实施例一提供的VSR的连接示意图；

图5为本发明实施例一提供的电路图符号；

图6为本发明实施例一提供的电路图符号；

图7为本发明实施例一提供的第1级移位寄存器单元结构示意图；

图8为本发明实施例一提供的第j级移位寄存器单元结构示意图；

图9为本发明实施例一提供的第i级移位寄存器单元结构示意图；

图10为本发明实施例二提供的时序示意图。

具体实施方式

针对现有技术中IC芯片需要两根信号线分别向VSR提供复位信号和起始移位信号，导致占用较多的Layout空间，且在进行VSR电路的布局布线设计时，GSP信号线会设置在VSR电路的最外侧，容易导致ESD的产生的问题，本发明实施例提出可以由IC芯片通过一根信号线结合反向器向VSR提供复位信号和起始移位信号，从而减少信号线数量，减少Layout空间占用，并避免将信号线设置在VSR电路的最外侧，减少ESD的产生。

下面结合说明书附图和各实施例对本发明方案进行说明。

实施例一、