[发明专利]使用溅射装置的溅射方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种使用溅射装置的溅射方法（SPUTERRING METHODUSING OF SPUTERRING DEVICE），更详细地涉及一种将对整个溅射靶材的整个扫描区间的一部分作为区间的扫描区间依次适用于扫描溅射靶材底面的同时移动的磁体的扫描区间，由此提高溅射靶材的使用效率的使用溅射装置的溅射方法。

背景技术

一般来说,溅射装置为在半导体元器件用基板或液晶显示装置用基板上形成薄膜时广泛使用的一种成膜装置，在半导体元器件的制造或液晶显示装置的制造中被视为非常重要的装置。

图1是溅射装置的示意图。参照图1，溅射装置在真空腔室101的内侧配置有用来安置基板103的基座102和在基板103的相对面上作为蒸镀源使用的金属物质溅射靶材104。

其中，溅射靶材104通过支承板（back plate）105固定，并供给将在基板103上形成薄膜的材料，而且沿着溅射靶材104的侧面设置有接地屏蔽（ground shield）106，沿着基板103和溅射靶材104之间的周边部设置有掩膜107。

在支承板105的底面通过规定的驱动装置109结合有用于施加DC电源的磁体（magnet）108，所述磁体108可在溅射靶材104的左右方向移动。

在如上状态下，当向真空腔室101的内部注入惰性气体氩气（Ar），并对溅射靶材104施加DC偏压时，惰性气体成为离子化的等离子状态，而且离子与溅射靶材104冲突，溅射靶材104释放出原子并在基板103上形成薄膜。

此时，磁体108如图2所示做左右方向的往返运动，并扫描溅射靶材104的同时供给磁场，以引导离子与溅射靶材104冲突。

而在以往的磁体108的扫描动作中，由于在溅射靶材104的左侧端部和右侧端部中需要降低扫描速度，因此与中央部相比停留时间长，当磁体108长时间停留时，磁体108的扫描区间D的左侧端部和右侧端部与中央部相比，在磁场中暴露的时间相对较长。

即在溅射靶材103中，磁体108的暴露时间相对较长的左侧端部和右侧端部中产生的侵蚀比中央部产生的侵蚀相对较多。

图3是图2的Ｉ-Ｉ向剖视图。从图3中可看出，与最初设置时的溅射靶材A的厚度t1相比，在溅射靶材A的两侧端部中产生的厚度t3的侵蚀比中央部产生的厚度t2的侵蚀更多。

结果是，设置在溅射装置的溅射靶材中，与中央部相比，在左侧端部和右侧端部中产生相对集中侵蚀的部分，存在溅射靶材的使用效率下降的问题。

而且，随着溅射靶材的低使用效率，还存在溅射靶材的更换周期加快的问题。

另外，随着溅射靶材的更换周期的加快，存在制造成本增加的问题。

发明内容

本发明是为了解决如上所述以往问题而提出的，其目的是提供一种使用溅射装置的溅射方法，该方法通过在溅射装置中溅射靶材的均匀的侵蚀，能够提高溅射靶材的使用效率，并延长溅射靶材的更换周期。

而且，本发明的目的是提供一种使用溅射装置的溅射方法，该方法通过延长溅射靶材的更换周期，能够降低制造成本。

本发明的目的可通过如下的本发明一实施例的使用溅射装置的溅射方法来实现。本发明一实施例的使用溅射装置的溅射方法，设定从溅射靶材的一侧到另一侧的整个扫描区间，并使磁体沿着所述整个扫描区间做正向和反向的连续多次往返运动，以扫描所述溅射靶材，其特征在于，包括：原扫描步骤，以扫描方向为基准从所述溅射靶材的左侧端部到右侧端部将所述整个扫描区间区划为n个部分，并设定分别以第p个部分和第n-p+1个部分为开始部分和结尾部分的原扫描区间，并使所述磁体将所述原扫描区间至少往返扫描一次，其中n为等于或大于4的整数，p为等于或大于1且等于或小于n/2的整数；及变更扫描步骤，在所述原扫描步骤后，设定分别以第q个部分和第n-q+1个部分为开始部分和结尾部分的变更扫描区间，并使所述磁体将所述变更扫描部分至少往返扫描一次，其中q为等于或大于1且等于或小于n/2的整数，并且q≠p，所述变更扫描步骤至少执行一次。

其中，在所述变更扫描步骤中，所述q为p-1或p+1。

其中，当所述变更扫描步骤执行两次以上时，将多个变更扫描区间的开始部分及结尾部分设定为互不相同。