[发明专利]发光器件有效
| 申请号: | 201210417256.3 | 申请日: | 2012-10-26 |
| 公开(公告)号: | CN103078032B | 公开(公告)日: | 2017-05-24 |
| 发明(设计)人: | 金省均;吴玧京;秋圣镐 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号: | H01L33/36 | 分类号: | H01L33/36;H01L33/02;H01L33/62;H01L27/15;F21S2/00;F21Y115/10 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 顾晋伟,全万志 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光 器件 | ||
技术领域
实施方案涉及发光器件、发光器件封装件、照明装置和显示装置。
背景技术
基于氮化镓的金属有机化学气相沉积和分子束生长的发展,开发了能够实现高亮度和白光的红色、绿色和蓝色发光二极管(LED)。
这些LED不包含环境有害物质如在常规照明装置(如白炽灯或荧光灯)中使用的汞(Hg),因而有利地具有优异的生态友好性、长寿命和低功耗,因此被用作常规光源的替代物。在这些LED的竞争中的关键因素在于基于具有高效率和高功率的芯片以及封装技术来实现高的亮度。
为了实现高的亮度,增加光提取效率是重要的。为了增加光提取效率,正在研究使用倒装芯片结构、表面纹理化、图案化的蓝宝石衬底(PSS)、光子晶体技术、抗反射层结构等的多种方法。
一般地,发光器件可以包括生成光的发光结构、接收功率的第一电极和第二电极、分散电流的电流阻挡层、与发光结构欧姆接触的欧姆层和提高光提取效率的反射层。一般的发光器件的结构在韩国专利特许公开号10-2011-0041270中公开。
发明内容
实施方案提供能够根据预期目的提高可靠性和效率并且控制发光区域的面积的发光器件。
在一个实施方案中,发光器件包括:包括多个发光区域的发光结构,所述多个发光区域包括第一半导体层、有源层和第二半导体层;设置在发光区域之一中的在第一半导体层上的第一电极单元;设置在发光区域的另一个中的在第二半导体层上的第二电极单元;设置在发光区域中的至少又一个中的在第二半导体层上的中间焊垫;以及用于依次串联连接发光区域的至少一个连接电极,其中串联连接的发光区域被分成第1至第i发光区域组,并且属于不同组的发光区域的面积是不同的(其中1<i≤j,i和j各自为自然数,并且j是最后发光区域组)。
在另一个实施方案中,发光结构包括:多个发光区域,所述多个发光区域包括第一半导体层、有源层和第二半导体层;设置在发光区域之一中的在第一半导体层上的第一电极单元;设置在发光区域的另一个中的在第二半导体层上的第二电极单元;设置在发光区域的至少又一个中的在第一半导体层上的中间焊垫;以及用于依次串联连接发光区域的至少一个连接电极,其中串联连接的发光区域分为第1至第i发光区域组,并且属于不同组的发光区域的面积是不同的(其中1<i≤j,i和j各自为自然数,并且j是最后的发光区域组)。
第一电极单元可以设置在属于第1组的发光区域中的第一发光区域中第一半导体层上。第二电极单元可以设置在属于第j组的发光区域中的最后发光区域中的第二半导体层上。
第一电极单元可以设置在属于第j组的发光区域中的最后发光区域中的第一半导体层上。第二电极单元可以设置在属于第1组的发光区域中的第一发光区域中的第二半导体层上。属于同一组的发光区域的面积可以是相同的。属于不同组的发光区域的横向长度和纵向长度中的至少一个可以是不同的。属于第i-1组的发光区域的面积可以大于属于第i组的发光区域的面积。属于各个组的发光区域的面积可以从第1组至第j组依次减小。发光区域的横向长度和纵向长度中的一个可以减小。
中间焊垫可以设置在属于除了第j组之外的组中至少之一的发光区域中的最后发光区域中的第二半导体层上。中间焊垫可以设置在属于除了第j组之外的组中至少之一的发光区域中的最后发光区域中的第一半导体层上。
第一电极单元和第二电极单元中的每一个可以包括接收功率的焊垫。
中间焊垫可以与同一发光区域中的连接电极电连接或不与其电连接。
发光器件还可以包括设置在发光区域中的绝缘层,其中连接电极设置在绝缘层上。
连接电极可以包括穿过绝缘层并且与相邻的发光区域之一中的第一半导体层接触的第一部分。
连接电极还可以包括穿过绝缘层、第二半导体层和有源层并且与所述相邻发光区域的另一个中的第二半导体层接触的第二部分,其中绝缘层设置在第二部分与第二半导体层之间、以及第二部分与有源层之间。
发光器件还可以包括:设置在发光结构下方的衬底;以及设置在发光区域与绝缘层之间的导电层。
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