[发明专利]半导体存储器件

权利要求书

1.一种半导体存储器件，包括：

存储体，所述存储体被配置为储存数据；

缓冲单元，所述缓冲单元包括多个缓冲器，所述多个缓冲器被设置成沿所述存储体的X轴延伸并且经由路径多路复用单元与所述存储体的同一位线对耦接以储存从所述存储体传送的数据；

多个数据传输线，所述多个数据传输线被配置为传送储存在所述多个缓冲器中的数据；以及

路径多路复用单元，所述路径多路复用单元被配置为响应于地址而选择多个数据传输路径中的一个，并且经由选中的数据传输路径来将储存在所述多个缓冲器中的数据传送至所述同一位线对。

2.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述数据传输线中的每个具有比设置在所述缓冲单元中的缓冲器的总长度更短的长度。

3.如权利要求1所述的半导体存储器件，还包括：

列选择单元，所述列选择单元被配置为响应于所述地址而产生用于激活所述缓冲器的选择信号。

4.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述路径多路复用单元被配置为响应于所述地址中的一部分地址而选择所述数据传输路径中的一部分数据传输路径，以及响应于所述地址中的剩余部分地址而选择所述数据传输路径中的剩余部分数据传输路径。

5.一种半导体存储器件，包括：

多个子缓冲单元，所述多个子缓冲单元被配置为与一个存储体相对应，并且通过将基于预定数目的多个缓冲器分组而获得；

多个数据传输线，所述多个数据传输线中的每个被配置为接收储存在设置于所述子缓冲单元中的缓冲器内的相应的数据，并且具有与所述子缓冲单元中的每个的长度相对应的长度；以及

路径多路复用单元，所述路径多路复用单元被配置为响应于地址而选择数据传输路径中的一个，并且输出经由所述多个数据传输线传送的数据中的一个。

6.如权利要求5所述的半导体存储器件，其中，所述数据传输线中的每个的长度与设置在所述子缓冲单元的每个中的缓冲器的总长度相对应。

7.如权利要求5所述的半导体存储器件，其中，所述数据传输线中的每个的长度与包括在所述子缓冲单元的每个中的缓冲器的数目相对应。

8.如权利要求5所述的半导体存储器件，还包括：

列选择单元，所述列选择单元被配置为响应于所述地址而产生用于激活所述缓冲器的选择信号。

9.如权利要求5所述的半导体存储器件，其中，所述路径多路复用单元被配置为响应于所述地址中的一部分地址而选择所述数据传输路径中的一部分数据传输路径，以及响应于所述地址中的剩余部分地址而选择所述数据传输路径中的剩余部分数据传输路径。

10.一种半导体存储器件，包括：

第一缓冲单元，所述第一缓冲单元被配置为包括与第一位线相对应的多个缓冲器；

第二缓冲单元，所述第二缓冲单元被配置为包括与第二位线相对应的多个缓冲器；以及

第一路径多路复用单元，所述第一路径多路复用单元被配置为设置在所述第一缓冲单元与所述第二缓冲单元之间，响应于地址而选择在设置于所述第一缓冲单元中的缓冲器与所述第一位线之间的数据传输路径中的一个，以及经由选中的数据传输路径来将储存在缓冲器中的数据传送到所述第一位线。

11.如权利要求10所述的半导体存储器件，其中，所述第一缓冲单元、所述第二缓冲单元以及所述第一路径多路复用单元设置在缓冲区中。

12.如权利要求10所述的半导体存储器件，其中，所述第一缓冲单元与所述第一路径多路复用单元以及第一数据传输线连接，所述第二缓冲单元与不同于所述第一路径多路复用单元的第二路径多路复用单元以及第二数据传输线连接。

13.如权利要求12所述的半导体存储器件，其中，所述第一数据传输线具有与设置在所述第一缓冲单元中的缓冲器的数目相对应的长度，所述第二数据传输线具有与设置在所述第二缓冲单元中的缓冲器的数目相对应的长度。

14.如权利要求10所述的半导体存储器件，其中，所述第一路径多路复用单元被配置为响应于地址中的一部分地址而选择所述数据传输路径中的一部分数据传输路径，以及响应于所述地址中的剩余部分地址而选择所述数据传输路径中的剩余部分数据传输路径。