[发明专利]一种半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

步骤S101：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括将其分成NMOS区和PMOS区的浅沟槽隔离以及分别位于所述NMOS区和PMOS区的NMOS和PMOS的栅极结构、栅极偏移侧壁和栅极主侧壁；

步骤S102：在所述PMOS的栅极结构两侧的所述半导体衬底上形成锗硅层，其中，在形成所述硅锗层时，部分所述浅沟槽隔离被去除；

步骤S103：在与所述浅沟槽隔离相邻的所述NMOS和PMOS各自的栅极主侧壁的外侧分别形成保护侧壁，其中，临近所述浅沟槽隔离的所述保护侧壁延伸至所述浅沟槽隔离的表面以下，以密封所述浅沟槽隔离的侧壁；

步骤S104：在所述NMOS的源极、漏极以及所述PMOS的源极、漏极上形成金属硅化物。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述步骤S103包括：

步骤S1031：在所述半导体衬底上形成保护膜；

步骤S1032：对所述保护膜进行刻蚀，在与所述浅沟槽隔离相邻的所述NMOS和PMOS各自的所述栅极主侧壁的外侧分别形成保护侧壁。

3.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述保护膜的材料为氮化硅。

4.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S1031中，形成所述保护膜所采用的方法为ALD。

5.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S1031中，形成的所述保护膜的厚度为

6.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S1032中，形成的所述保护侧壁的厚度为

7.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S1032中，对所述保护膜进行的刻蚀为各向异性刻蚀。

8.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述NMOS的栅极结构和所述PMOS的栅极结构均包括：自下而上位于所述半导体衬底上的高k介电层、阻挡层、伪栅极以及伪栅极硬掩膜。

9.如权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述阻挡层的材料为TiN。

10.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述步骤S102包括：

步骤S1021：在所述半导体衬底上形成锗硅遮蔽层；

步骤S1022：在所述半导体衬底上形成图形化的光刻胶，所述图形化的光刻胶覆盖所述锗硅遮蔽层位于所述NMOS区的部分；

步骤S1023：对所述锗硅遮蔽层进行干法刻蚀，在所述PMOS的栅极主侧壁的外侧形成临时锗硅侧壁和碗型凹槽；

步骤S1024：剥离所述图形化的光刻胶，对所述半导体衬底进行湿法刻蚀以在所述PMOS的栅极结构的两侧形成Sigma型凹槽；

步骤S1025：在所述Sigma型凹槽内沉积锗硅层；

步骤S1026：通过湿法刻蚀去除所述锗硅遮蔽层位于所述NMOS区的部分以及所述PMOS的临时锗硅侧壁。

11.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S102与步骤S103之间，还包括形成所述NMOS的源极、漏极以及所述PMOS的源极、漏极的步骤。

12.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述步骤S104包括：

步骤S1041：在所述半导体衬底上形成金属硅化物遮蔽层，其中所述金属硅化物遮蔽层包括氧化硅层和位于其外侧的氮化硅层；

步骤S1042：对所述金属硅化物遮蔽层进行各向同性刻蚀，去除所述氮化硅层，并对所述半导体衬底进行预清洗；

步骤S1043：在所述半导体衬底上沉积金属硅化物层，通过刻蚀工艺去除所述金属硅化物层位于所述NMOS的源极、漏极以及所述PMOS的源极、漏极区域之外的部分。

13.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S104之后还包括步骤S105：对所述半导体衬底进行应力临近技术。

14.如权利要求13所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S105之后还包括步骤S106：形成层间介电层和金属栅极。