[发明专利]发光二极管封装构造及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光二极管制造方法，特别是有关于一种可提升出光效率的发光二极管封装构造及其制造方法。

背景技术

在现有的发光二极管(LED)灯具，一般是使用一发光二极管基板作为发光源，再设置于灯壳内，以构成发光二极管灯具。

所述发光二极管基板主要是包含一基板以及多个发光二极管芯片。所述发光二极管芯片一般可通过芯片直接封装(Chip OnBoard，COB)工艺设置于所述基板上。在所述芯片直接封装工艺中，所述发光二极管芯片会先粘贴在所述基板上，并通过打线(wire bonding)串接相邻的发光二极管芯片，然后以透明封胶覆盖发光二极管芯片与导线。

前述发光二极管芯片一般是成矩阵排列，且相邻的发光二极管芯片的金属承载座之间具有间隔，如此一来，当发光二极管新片发光时，金属承载座之间的间隔将会导致漏光问题发生。

故，有必要提供一种发光二极管封装构造及其制造方法，以解决现有技术所存在的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种发光二极管封装构造及其制造方法，其在承载座之间进一步设置反光材料，可加强整体结构强度并提高出光效率，解决传统发光二极管基板结构漏光的技术问题。

为达到上述目的，本发明一实施例提供一种发光二极管封装构造，其包含：多个承载座、多个发光二极管芯片及一透明封装层。相邻两所述承载座之间具有一间隔空间，所述间隔空间包含相互连通的一第一凹部与一第二凹部，其中所述第一凹部填充有反光材料。所述多个发光二极管芯片分别设置于所述承载座上，并通过导线连接。所述透明封装层设于所述承载座上方而包覆所述发光二极管芯片与所述反光材料。

本发明的另一实施例提供一种发光二极管封装构造的制造方法，其包含下列步骤：提供一基底；于所述基底的上表面进行半蚀刻工艺而形成多个第一凹部；填充反光材料于所述第一凹部内；设置一发光二极管芯片于基底的上表面上，并以导线连接相邻的所述发光二极管芯片；设置一透明封装层于所述基底的上表面，以包覆所述发光二极管芯片与所述反光材料；以及于所述基底的下表面进行半蚀刻工艺，以形成对应连通所述第一凹部的第二凹部。

由于发光二极管芯片的承载座之间填充有反光材料，可将散射到承载座之间的光线反射回去，进而提高出光效率，因此，本发明可有效解决传统发光二极管基板结构漏光的技术问题。

附图说明

图1是本发明发光二极管封装构造的一实施例的局部剖视图。

图2是本发明发光二极管封装构造的一实施例的俯视图。

图3A～3F是本发明发光二极管封装构造的制造方法一实施例的制造流程示意图。

具体实施方式

为让本发明上述目的、特征及优点更明显易懂，下文特举本发明较佳实施例，并配合附图，作详细说明如下。再者，本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。

请参考图1及图2所示，图1是本发明发光二极管封装构造的一实施例的局部剖视图。图2是本发明发光二极管封装构造的一实施例的俯视图。本发明的一实施例提供一种发光二极管封装构造，其包含多个承载座10、一反光材料11、多个发光二极管芯片12、多个荧光粉层13及一透明封装层14。

所述多个承载座10例如是呈矩阵式排列。所述多个承载座10可通过蚀刻一金属基底来共同形成，且例如是通过两道半蚀刻工艺来形成。所述金属基底的材料例如为铜或铜合金，且上下表面设有(透过电镀、镀层)镍或金或镍金叠层。因此，每一所述承载座10的材料例如是铜或铜合金，且其上、下表面各设有一第二金属层100，101，而所述第二金属层100，101的材料例如为镍或金或镍金叠层。相邻两承载座10之间具有一间隔空间10a，所述间隔空间10a包含相互连通的一第一凹部102与一第二凹部103。所述第一凹部102与第二凹部103例如是通过前述的两道半蚀刻工艺来分别形成。所述第一凹部102与第二凹部103各具有一倾斜面，而所述第一凹部102与第二凹部103的倾斜面的交界定义出一尖端。

值得注意的是，所述第一凹部102填充有反光材料11，且所述反光材料11例如是通过孔版印刷工艺填充于所述第一凹部102内。在本实施例中，所述反光材料11的填充高度例如是高于所述承载座10表面。再者，所述反光材料11为具高反射率的材料，例如光敏材料或是添加二氧化钛(TiO₂)颗粒的光刻胶材料。