[发明专利]发光二极管封装构造及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管封装构造，其特征在于：所述发光二极管封装构造包含：

多个承载座，相邻两所述承载座之间具有一间隔空间，所述间隔空间包含相互连通的一第一凹部与一第二凹部，其中所述第一凹部填充有反光材料；

多个发光二极管芯片，分别设置于所述承载座上，并通过导线连接；以及

一透明封装层，设于所述承载座上方而包覆所述发光二极管芯片与所述反光材料。

2.如权利要求1所述的发光二极管封装构造，其特征在于：所述第一凹部与第二凹部各具有一倾斜面，而所述第一凹部与第二凹部的倾斜面的交界定义出一尖端。

3.如权利要求1所述的发光二极管封装构造，其特征在于：每一所述承载座的材料是铜或铜合金。

4.如权利要求1所述的发光二极管封装构造，其特征在于：每一所述承载座的上、下表面各设有一第二金属层。

5.如权利要求1所述的发光二极管封装构造，其特征在于：每一所述发光二极管芯片的发光面设有荧光粉层。

6.如权利要求1所述的发光二极管封装构造，其特征在于：所述反光材料是添加二氧化钛颗粒的光刻胶材料。

7.如权利要求1所述的发光二极管封装构造，其特征在于：所述反光材料填充高度高于所述承载座表面。

8.一种发光二极管封装构造的制造方法，其特征在于：所述制造方法包括下列步骤：

提供一基底；

于所述基底的上表面进行半蚀刻工艺而形成多个第一凹部；

填充反光材料于所述第一凹部内；

设置一发光二极管芯片于所述基底的上表面，并以导线连接相邻的所述发光二极管芯片；

设置一透明封装层于所述基底的上表面，以包覆所述发光二极管芯片与所述反光材料；以及

于所述基底的下表面进行半蚀刻工艺，以形成对应连通所述第一凹部的第二凹部。

9.如权利要求8所述的发光二极管封装构造的制造方法，其特征在于：在设置所述发光二极管芯片于所述基底的上表面上的步骤之后，进一步包含一步骤：于每一所述发光二极管芯片的发光面上设置荧光粉层。

10.如权利要求8所述的发光二极管封装构造的制造方法，其特征在于：所述反光材料是通过孔版印刷工艺填充于所述第一凹部内。