[发明专利]一种在堆叠芯片之间传输驱动大电流信号的方法

说明书

技术领域

本发明涉及堆叠芯片技术领域，尤其涉及一种在堆叠芯片之间传输驱动大电流信号的方法。

背景技术

传统上驱动大电流信号，如果用金线或者铜线wire bonding互连堆叠芯片时，因为金线的横截面积一般是0.7平方毫米，铜线的横截面积一般是0.8平方毫米，用这样的线传输大电流不会产生很大的电压降，有利于大电流的传输。硅通孔连接(TSV，Through-Silicon-Via)互连线技术作为一个新兴技术，正在被广泛用于芯片堆叠技术中，但由于TSV的连线直径是遵循最小工艺尺寸的，如果是在深亚微米工艺中用硅通孔技术传输大电流信号，因为金属线宽非常小，使得连线的电阻非常大，会产生很大的电压降，达不到传输大电流的效果，如图3所示。所以TSV连线的电阻值就会很大，对于那些需要驱动大电流的信号传输就会带来很大问题，导致驱动能力下降，从而使芯片的性能降低了。

发明内容

本发明克服了背景技术中堆叠芯片中无法有效传输驱动大电流信号的缺陷，提出了一种在堆叠芯片之间传输驱动大电流信号的方法。

本发明提出了一种在堆叠芯片之间传输驱动大电流信号的方法，包括：

步骤一：在所述堆叠芯片的传输驱动大电流信号的导线之间选用至少两根互连线上下连接；

步骤二：所述驱动大电流信号同时在所述互连线上并行传输；

其中，所述驱动大电流信号的驱动电流为10mA以上。

其中，所述堆叠芯片之间的互连线为硅通孔连接互连线。

本发明通过将驱动大电流信号在堆叠芯片之间进行多路并行传输，有效降低了驱动大电流信号在堆叠芯片的互连线上传输的损耗，提高了驱动大电流信号在堆叠芯片间传输时的驱动能力，有效提高了芯片的性能。

附图说明

图1为本发明在堆叠芯片之间传输驱动大电流信号的方法的流程图。

图2为本发明中传输驱动大电流信号的示意图。

图3为背景技术中传输驱动大电流信号的示意图。

具体实施方式

结合以下具体实施例和附图，对本发明作进一步的详细说明。实施本发明的过程、条件、实验方法等，除以下专门提及的内容之外，均为本领域的普遍知识和公知常识，本发明没有特别限制内容。

如图1所示，本发明的一种在堆叠芯片之间传输驱动大电流信号的方法，包括：

步骤一：在堆叠芯片的传输驱动大电流信号的导线之间选用至少两根互连线上下连接；

步骤二：驱动大电流信号同时在互连线上并行传输。

本发明中驱动大电流信号的驱动电流为10mA以上。

本发明传输驱动大电流信号时所采用的互连线为硅通孔连接互连线。

实施例：

如图1所示，在硅通孔连接(Through-Silicon-Via)互连线上传输驱动大电流信号时，驱动大电流信号通过多个硅通孔互连线在上下堆叠芯片间并行传输，使得上下芯片间流过的电流增多，减小了驱动大电流信号在传输过程中的损耗，提高了驱动效率，从而能够实现在硅通孔连接(Through-Silicon-Via)互连线上传输驱动大电流信号。

如图2所示，本实施例中上下堆叠芯片之间传输驱动大电流信号的导线之间选用四根硅通孔连接互连线进行连接。能驱动10mA以上的大电流的驱动大电流信号通过四根硅通孔连接互连线并行传输。由于传输过程采用并行传输的方式，驱动大电流信号的损耗减少，在接收到驱动大电流信号的上层芯片中，传输驱动大电流信号的导线整合四根硅通孔连接互连线的并行传输的驱动大电流信号用于向上层芯片中的电子元件供电。与现有技术相比，本实施例中驱动大电流的传输效率至少提高3倍。

本发明的保护内容不局限于以上实施例。在不背离发明构思的精神和范围下，本领域技术人员能够向到的变化和优点都被包括在本发明中，并且以所附的权利要求书为保护范围。