[发明专利]功率模块

权利要求书

1.一种功率模块，所述功率模块包括：

基板，所述基板包括绝缘件和位于所述绝缘件上的图案化敷镀金属，所述图案化敷镀金属被分割成隔开的多个敷镀金属区域，所述敷镀金属区域中的相邻敷镀金属区域由穿过所述图案化敷镀金属延伸至所述绝缘件的凹槽分离；

第一功率晶体管电路，所述第一功率晶体管电路包括附接至所述敷镀金属区域中的第一敷镀金属区域的第一功率开关以及附接至所述敷镀金属区域中的邻近所述第一敷镀金属区域的第一侧的第二敷镀金属区域的第二功率开关；以及

第二功率晶体管电路，所述第二功率晶体管电路包括附接至所述第一敷镀金属区域的第三功率开关以及附接至所述敷镀金属区域中的邻近所述第一敷镀金属区域的与所述第一侧相对的第二侧的第三敷镀金属区域的第四功率开关，所述第二功率晶体管电路为所述第一功率晶体管电路的镜像。

2.根据权利要求1所述的功率模块，其中，所述第一功率晶体管电路可操作成在第一方向上产生第一电流，并且所述第二晶体管电路可操作成在与所述第一方向相反的第二方向上产生第二电流，以使响应于所述第一电流出现的磁场至少部分地被响应于所述第二电流出现的磁场抵消。

3.根据权利要求1所述的功率模块，其中，所述第一功率晶体管电路可操作成产生通过所述第一功率开关和所述第二功率开关的电流回路，所述电流回路具有与以下各项相对应的宽度：所述第一功率开关的和所述第二功率开关的宽度、分离所述第一敷镀金属区域和所述第二敷镀金属区域的所述凹槽的宽度、所述凹槽的第一边缘与所述第一功率开关的面向所述凹槽的一侧之间的距离、以及所述凹槽的相对的第二边缘与所述第二功率开关的面向所述凹槽的一侧之间的距离。

4.根据权利要求1所述的功率模块，其中，所述基板是直接铜结合基板。

5.根据权利要求1所述的功率模块，还包括沿着所述功率模块的相同侧布置的第一极性的多个第一DC电源接线端以及第二极性的多个第二DC电源接线端，以使所述多个第一DC电源接线端被分组在一起，并共同地介于所述多个第二DC电源接线端的第一组与所述多个第二DC电源接线端的第二组之间。

6.根据权利要求5所述的功率模块，还包括容纳所述基板、所述第一功率晶体管电路和所述第二功率晶体管电路的塑料框架，并且其中，所述多个第一DC电源接线端和所述多个第二DC电源接线端沿着所述塑料框架的相同侧布置，并由与所述塑料框架的爬电距离相对应的最小距离隔开。

7.根据权利要求1所述的功率模块，其中，分离所述第一敷镀金属区域和所述第二敷镀金属区域的所述凹槽具有第一边缘和相对的第二边缘，并且其中，所述第一功率开关布置在所述第一边缘附近，并且所述第二功率开关布置在所述第二边缘附近。

8.根据权利要求7所述的功率模块，其中，所述凹槽的所述第一边缘与所述第一功率开关的面向所述凹槽的一侧之间的距离是0.5mm或更小，并且其中，所述凹槽的所述第二边缘与所述第二功率开关的面向所述凹槽的一侧之间的距离是0.5mm或更小。

9.根据权利要求1所述的功率模块，其中，分离所述第一敷镀金属区域和所述第三敷镀金属区域的所述凹槽具有第一边缘和相对的第二边缘，并且其中，所述第三功率开关布置在所述第一边缘附近，并且所述第四功率开关布置在所述第二边缘附近。

10.根据权利要求9所述的功率模块，其中，所述凹槽的所述第一边缘与所述第三功率开关的面向所述凹槽的一侧之间的距离是0.5mm或更小，并且其中，所述凹槽的所述第二边缘与所述第四功率开关的面向所述凹槽的一侧之间的距离是0.5mm或更小。