[发明专利]具有接触插栓的半导体结构与其形成方法

权利要求书

1.一种具有接触插栓的半导体结构，包含：

晶体管，设置在一基底上，其中该晶体管包含一栅极以及一源极/漏极区；

第一内层介电层，设置在该晶体管上，且与该晶体管的该栅极的一顶面齐平；

第二内层介电层，设置在该第一内层介电层上；以及

第一接触插栓，设置在该第一内层介电层以及该第二内层介电层中，该第一接触插栓包含第一沟槽部分以及第一介质孔部分，其中该第一沟槽部分以及该第一介质孔部分的一交界高于该栅极的该顶面，

其中该第一接触插栓包含第一阻障层以及第一金属层，其中该第一阻障层共形地沿着该第一沟槽部分以及该第一介质孔部分的表面设置，

该第二内层介电层的一底面直接接触该栅极的该顶面、该第一内层介电层的一顶面、与部分的该第一介质孔部分。

2.如权利要求1所述的具有接触插栓的半导体结构，其中该第一沟槽部分以及该第一介质孔部分的该交界位于该第二内层介电层中。

3.如权利要求1所述的具有接触插栓的半导体结构，其中该第一金属层包含钨。

4.如权利要求1所述的具有接触插栓的半导体结构，其中该第一接触插栓电连接该晶体管的该源极/漏极区。

5.如权利要求4所述的具有接触插栓的半导体结构，其中该晶体管还具有一金属硅化物层，设置于该第一接触插栓与该源极/漏极区之间。

6.如权利要求1所述的具有接触插栓的半导体结构，还包含第二接触插栓，设置于该第二内层介电层中，并与该栅极电连接。

7.如权利要求6所述的具有接触插栓的半导体结构，其中该第二接触插栓包含第二沟槽部分以及第二介质孔部分。

8.如权利要求6所述的具有接触插栓的半导体结构，其中该第二接触插栓包含铜。

9.一种形成具有接触插栓的半导体结构的方法，包含：

提供一基底；

形成一晶体管以及一第一内层介电层于该基底上，其中该第一内层介电层与该晶体管的一栅极的一顶面齐平，使得该栅极暴露出来；

在该第一内层介电层上形成一第二内层介电层；以及

形成一第一接触插栓于该第二内层介电层以及该第一内层介电层中，以电连接该晶体管的一源极/漏极区，其中形成该第一接触插栓的步骤包含一第一双镶嵌制作工艺，

其中该第一双镶嵌制作工艺包含：于该第二内层介电层中形成第一沟槽；于该第一沟槽底面向下形成一第一介质孔；以及在该第一沟槽以及第一介质孔中形成第一接触插栓。

10.如权利要求9所述的形成具有接触插栓的半导体结构的方法，其中该第一双镶嵌制作工艺还包含：

在该第一沟槽以及该第一介质孔中填入一第一金属层。

11.如权利要求10所述的形成具有接触插栓的半导体结构的方法，其中该第一金属层包含钨。

12.如权利要求10所述的形成具有接触插栓的半导体结构的方法，其中该第一介质孔会暴露出该晶体管的该源极/漏极区，在形成该第一介质孔后，还包含在暴露的该源极/漏极区上形成一金属硅化物层。

13.如权利要求9所述的形成具有接触插栓的半导体结构的方法，还包含形成一第二接触插栓，设置于该第二内层介电层中，以电性接触该晶体管的该栅极。

14.如权利要求13所述的形成具有接触插栓的半导体结构的方法，其中先形成该第一接触插栓，再形成该第二接触插栓。

15.如权利要求13所述的形成具有接触插栓的半导体结构的方法，其中先形成该第二接触插栓，再形成该第一接触插栓。