[发明专利]半导体器件、半导体器件制造方法以及电子器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

绝缘层；

设置在所述绝缘层内的第一半导体元件和第二半导体元件；

框，所述框具有比所述绝缘层更高的热导率并经由所述绝缘层围绕所述第一半导体元件和所述第二半导体元件；以及

布线层，所述布线层设置在所述绝缘层之上并包括电连接所述第一半导体元件和所述第二半导体元件的电极。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述绝缘层由树脂制成；

其中所述第一半导体元件和所述第二半导体元件分别具有从所述绝缘层露出的第一电极焊垫和第二电极焊垫，以及

其中所述电极电连接到所述第一电极焊垫和所述第二电极焊垫。

3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，

其中所述布线层包括框部，所述框部围绕包括所述电极的区域并连接到所述框。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体器件，还包括：

设置在所述绝缘层的与设置有所述布线层的侧面相反的侧面上的层，所述层具有比所述绝缘层更高的热导率并连接到所述框。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，

其中所述层接触所述第一半导体元件和所述第二半导体元件中的至少之一。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体器件，

其中所述第一半导体元件和所述第二半导体元件距所述框之间的距离等于所述第一半导体元件与所述第二半导体元件之间的距离。

7.一种半导体器件制造方法，包括：

形成衬底，所述衬底包括：

绝缘层，

设置在所述绝缘层的第一区域内的第一半导体元件和第二半导体元件，以及

设置在所述绝缘层内的第一框，所述第一框具有比所述绝缘层更高的热导率并经由所述第一区域的所述绝缘层围绕所述第一半导体元件和所述第二半导体元件；

在所述衬底之上形成布线层，所述布线层包括电连接到所述第一半导体元件和所述第二半导体元件的第一电极；以及

切割所述布线层和所述衬底以使得所述第一区域的所述绝缘层被所述第一框的至少一部分围绕。

8.根据权利要求7所述的半导体器件制造方法，

其中待形成的所述衬底还包括：

设置在所述绝缘层的第二区域内的第三半导体元件和第四半导体元件，以及

设置在所述绝缘层内的第二框，所述第二框具有比所述绝缘层更高的热导率并经由所述第二区域的所述绝缘层围绕所述第三半导体元件和所述第四半导体元件，

其中待形成的所述布线层还包括电连接到所述第三半导体元件和所述第四半导体元件的第二电极，以及

其中布置为切割所述布线层和所述衬底的过程包括：

切割所述布线层和所述衬底，使得对于所述第一框和所述第二框之间的位置，所述第一区域的所述绝缘层被所述第一框的至少一部分围绕，并且所述第二区域的所述绝缘层被第二框的至少一部分围绕。

9.根据权利要求8所述的半导体器件制造方法，其中所述衬底的形成包括：

在支承构件之上设置所述第一框和所述第二框，

在所述第一框内设置所述第一半导体元件和所述第二半导体元件，

在所述第二框内设置所述第三半导体元件和所述第四半导体元件，

在所述支承构件之上形成所述绝缘层，并且将所述第一框、所述第二框、所述第一半导体元件、所述第二半导体元件、所述第三半导体元件、以及所述第四半导体元件埋入所述绝缘层中，以及

从所述绝缘层剥离所述支承构件。

10.根据权利要求9所述的半导体器件制造方法，

其中所述衬底的形成包括布置为在所述支承构件之上延伸并设置第三框以穿过所述第一框和所述第二框之间的过程。

11.根据权利要求9或10所述的半导体器件制造方法，

其中所述衬底的形成包括布置为在所述支承构件之上延伸并设置第四框以围绕包括所述第一框和所述第二框的区域的过程。

12.根据权利要求9所述的半导体器件制造方法，

其中所述第一框和所述第二框是一体化的。