[发明专利]用于对电子电路的晶片进行测试的测试装置以及相关方法无效

专利信息
申请号: 201210409309.7 申请日: 2012-10-18
公开(公告)号: CN103063921A 公开(公告)日: 2013-04-24
发明(设计)人: 戴戈·唐尼;亚历山大·沃尔坦;马尔科·加里亚佐;马尔科·马特尔 申请(专利权)人: 应用材料意大利有限公司
主分类号: G01R27/02 分类号: G01R27/02;G01R31/26
代理公司: 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 代理人: 王安武
地址: 意大利*** 国省代码: 意大利;IT
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摘要:
搜索关键词: 用于 电子电路 晶片 进行 测试 装置 以及 相关 方法
【说明书】:

技术领域

发明的一些方面大致涉及用于测试板的方法及装置,该板例如是用于形成在太阳能或光伏工厂或制造厂中使用的太阳能电池的衬底。本发明的其他方面涉及,在电池的制造步骤中直接进行的,对太阳能及光伏电池中的端子以及金属线(例如,手指或总线)的线电阻进行设计。

可以在用于制造板或衬底的工厂中使用实施例,以用于形成电子电路。在一些实施例中,可以使用方法及装置来执行对具有硅或氧化铝基的板(例如,晶片或衬底)上的阻抗类型(例如,光伏电池或绿带电路)的一系列品质测试。

背景技术

阻抗端子对于电子电路的品质以及效果极其重要。因此,需要仔细彻底地对其进行检验。当用于制造电路的板中存在的组件的密度增大时,这变的甚至更为重要。

可在用于这类板的电子测试过程中使用各种技术。大体上,对于板的正常制造而言,在分离的处理中对样本板进行测试。

广泛使用的这些技术中的一种被称为TLM(传输线模型)。在TLM技术中,从通过插入(通过对相邻或间隔成对金属线(例如,手指或总线)之间的阻抗进行多次测量而获得的)n值而获得的曲线的数值衰退中确定与端子电阻相关的相对参数。

具体而言,由于所使用的测试设备的限制、制造金属线的误差以及因对经测试的带的错误制备而造成的误差,上述技术存在一些缺陷。还会存在因在执行运算时所假定的错误假设而造成的误差。

对于与使用该测试方法所关的问题更深入的研究,请参考Kirk等人所著的文章,“Development of the transmission line method for measuringcontact to high sheet resistance emitters with improved accuracy”,于2010年9月6-10日发表于Spain,Valencia,第25届European Photovoltaic SolarEnergy Conference and Exhibition/第5届World Conference on PhotovoltaicEnergy Conversion。

用于对端子的阻抗进行上述测试的其他技术是那些公知的技术,如“Squares Pattern”以及“Dotted Pattern”。可通过在样本板上生成预定金属化图案,然后产生通过金属化区域的电流,由此确定阻抗曲线对端子面积的比率,来执行这些技术。

发表于IEEE Transactions 2009,由M.Melczarsky等人所著的文章“Contact Resistance Measurement Techniques for Ag Thick-Film Screen-Printed Contacts to Solar Cells”中,将这两种技术与TLM进行了比较,结论是后者对于测量丝网印刷端子而言并非最合适,这是由于该方法的灵敏性坡度以及端子脚的分离,其定义了这类金属化技术。

尽管已经进行了改进,但上述其他两种技术也存在缺陷,具体而言在通过插入一系列不同测量时来确定测量数据中的问题,因此存在与插入技术相关的缺陷,并且对于获得的插值曲线的坡度存在影响。

在利用TLM技术来测量端子阻抗时,假定对其上沉积有端子的衬底进行均匀的掺杂。但是,在所谓选择性发射极技术的情况下,衬底在端子正下方的浓度方面存在巨大差异,这会不利地影响测量的结果。

因此,需要研发改进的技术及设备。具体而言,存在下述需求,即研发技术及设备以用于执行对要用作太阳能/光伏电池的电子电路的板的测试,其中可以克服或至少极大地限制现有技术中的缺陷。

发明内容

这里讨论的特定实施例直接,而非通过插值,来测量线及端子阻抗的值。因此,已经获得的以下优点:防止与形成插值曲线的数学系数相关的问题;能够即使在制造线自身也执行测量,因此无需分离于并独立于制造的测试处理;如果在执行时通过检验来确定缺陷或不精确性,能够执行对线的校正;与对在测试结构上测量的阻抗的单一名义值的TLM技术不同,能够对经过测试的电池的一部分上的端子阻抗进行设计;允许利用选择性发射极技术来对太阳能电池上的端子阻抗进行测量,其中发射极具有端子下的掺杂变化。无需具体辅助测试结构,就可实现其他优点。此外,这里所述的实施例可方便地适用于可用的任意栅结构。申请人已经设计,测试并描述了这些实施例以克服现有技术的缺陷,并获得这些及其他效果及优点。

独立权利要求给出并界定了具体实施例,而从属权利要求则描述了提供的实施例的其他特征或变化。

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