[发明专利]半导体器件及半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括下列步骤：

提供绝缘体上半导体，所述绝缘体上半导体包括衬底、半导体层以及位于所述衬底与所述半导体层之间的绝缘层；

图案化所述半导体层以在所述半导体层上形成凹槽，两个相邻所述凹槽之间为凸起，所述凸起被所述凹槽限定出凸起侧壁；

形成应力改变层覆盖所述凹槽和所述凸起，所述应力改变层对所述凸起产生应力改变作用；

图案化所述应力改变层以在所述应力改变层上形成沟槽，所述沟槽暴露出至少部分所述凸起，所述应力改变层被所述沟槽限定出应力改变层侧壁；

形成侧墙于所述应力改变层侧壁，所述侧墙遮挡部分所述凸起；

形成栅介电层以覆盖所述凸起暴露出的部分；

形成栅电极层以覆盖所述栅介电层，所述栅电极层填充所述沟槽。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述栅电极层填充所述沟槽之后，移除位于所述应力改变层上的所述栅电极层。

3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述凹槽下面的半导体层和覆盖所述凹槽的应力改变层形成源极的至少一部分或漏极的至少一部分。

4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述凸起形成沟道的至少一部分。

5.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述应力改变层包括硅锗层。

6.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述硅锗层包括p型掺杂物。

7.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述应力改变层包括硅碳层。

8.如权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述硅碳层包括n型掺杂物。

9.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，采用干法刻蚀图案化所述半导体层。

10.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，采用干法刻蚀图案化所述应力改变层。

11.如权利要求9或10所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，采用CF₄或CHF₃作为刻蚀气体。

12.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述凹槽的深度在2nm至20nm之间。

13.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述应力改变层的厚度在20nm至200nm之间。

14.一种半导体器件，其特征在于，包括：

绝缘体上半导体，所述绝缘体上半导体包括衬底、半导体层以及位于所述衬底与所述半导体层之间的绝缘层；所述半导体层包括有凹槽，相邻两个所述凹槽之间为凸起；

应力改变层，覆盖所述凹槽，所述应力改变层在所述凸起上方为沟槽；所述沟槽侧面包括有侧墙；

栅介电层，覆盖所述凸起；所述栅介电层被栅电极层覆盖，所述栅电极层填充所述沟槽。

15.如权利要求14所述的半导体器件，其特征在于，所述凹槽定义出源极区域和漏极区域；所述凸起定义出沟道区域。

16.如权利要求15所述的半导体器件，其特征在于，所述应力改变层包括掺杂有p型掺杂物的硅锗层。

17.如权利要求15所述的半导体器件，其特征在于，所述应力改变层包括掺杂有n型掺杂物的硅碳层。

18.如权利要求14所述的半导体器件，其特征在于，所述凹槽的深度在2nm至20nm之间。