[发明专利]阵列基板及其制作方法、液晶显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示领域，特别是一种阵列基板及其制作方法、液晶显示装置。

背景技术

液晶显示器包括以矩阵形式设计的像素单元，以及驱动这些像素单元的驱动电路，通过液晶盒内电场的变化来实现液晶分子的偏转，来达到显示效果。

对于液晶显示器，多畴显示是实现宽视角的主要方法。所谓多畴显示，就是在一个像素内分成不同的领域，不同领域的液晶的偏转程度不同，从不同角度观看液晶屏时，都是看到的各个领域的液晶偏转的综合效果，从而降低了因为像素内所有液晶偏转相同带来的不同角度上的对比度差异，增大了视角。

电容分隔多畴技术是实现多畴显示的方法之一，即通过膜层设计，在一个子像素内形成不同的液晶电容，在同样的外电场条件下，各处的液晶所受电场分压不同，偏转不同，因而形成多畴显示。

但现有采用电容分隔多畴技术的阵列基板的制作工艺较为复杂，至少需要五次构图工艺才能完成阵列基板的制作，制作工艺复杂，制作成本很高。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种阵列基板及其制作方法、液晶显示装置，在实现多畴显示的同时，能够简化阵列基板的制作工艺，降低阵列基板的制作成本。

为解决上述技术问题，本发明的实施例提供技术方案如下：

一方面，提供了一种阵列基板的制作方法，所述阵列基板包括有至少两个与公共电极相对应的显示电极，每个显示电极与所述公共电极之间形成的电容各不相同，所述制作方法包括：采用一次构图工艺形成两个所述显示电极。

进一步地，上述方案中，所述采用一次构图工艺形成两个所述显示电极包括：

在阵列基板上形成第一电极层和保护层；

通过一次构图工艺利用所述第一电极层形成信号线、源电极、漏电极、第一显示电极和第二显示电极，其中所述第一显示电极上保留有所述保护层，移除所述第二显示电极上的所述保护层。

进一步地，上述方案中，所述制作方法具体包括：

提供一基板，在所述基板上形成栅金属层，通过第一次构图工艺形成扫描线图形；

在经过第一次构图工艺的基板上依次形成栅绝缘层和半导体有源层、欧姆接触层，经过第二次构图工艺形成硅岛及沟道图形；

在经过第二次构图工艺的基板上依次形成第一电极层和保护层，在保护层上涂覆光刻胶，使用半曝光技术，利用掩膜版对不同位置的光刻胶曝光，显影后形成不同厚度的光刻胶膜层；

经过第三次构图工艺后，形成由第一电极层构成的信号线、源电极、漏电极、第一显示电极、第二显示电极以及保护层图形，所述保护层图形覆盖所述第一显示电极，未覆盖所述第二显示电极。

进一步地，上述方案中，所述制作方法具体包括：

提供一基板，在所述基板上形成栅金属层，通过第一次构图工艺形成扫描线图形；

在经过第一次构图工艺的基板上依次形成栅绝缘层和半导体有源层、欧姆接触层，通过半曝光技术，形成硅岛图形；

在经过第二次构图工艺的基板上依次形成第一电极层和保护层，在保护层上涂覆光刻胶，使用半曝光技术，利用掩膜版对不同位置的光刻胶曝光，显影后形成不同厚度的光刻胶膜层；

经过第三次构图工艺后，形成沟道图形以及由第一电极层构成的信号线、源电极、漏电极和第一显示电极、第二显示电极以及保护层图形，所述保护层图形覆盖所述第一显示电极，未覆盖所述第二显示电极。

进一步地，上述方案中，所述栅绝缘层的厚度为0.2～0.5μm；

所述保护层的厚度为0.3～0.6μm；

所述第一电极层的厚度为0.05～0.4μm；

所述半导体有源层为采用a-Si，所述欧姆接触层为采用n+a-Si，所述a-Si层的厚度为0.15～0.25μm，所述n+a-Si层的厚度为0.05～0.1μm。

进一步地，上述方案中，所述制作方法具体包括：

提供一基板，在所述基板上沉积栅金属层，通过第一次构图工艺形成扫描线图形；

在经过第一次构图工艺的基板上依次沉积栅绝缘层和半导体有源层、欧姆接触层，经过第二次构图工艺形成硅岛及沟道图形；

在经过第二次构图工艺的基板上依次沉积第一电极层和保护层，在保护层上涂覆光刻胶，使用半曝光技术，利用掩膜版对不同位置的光刻胶曝光，显影后形成不同厚度的光刻胶膜层；

经过第三次构图工艺后，形成由第一电极层构成的信号线、源电极、漏电极和第一显示电极、第二显示电极以及保护层图形，所述保护层图形覆盖所述第一显示电极，覆盖所述第二显示电极的一部分；