[发明专利]阵列基板及其制作方法、液晶显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述阵列基板包括有至少两个与公共电极相对应的显示电极，每个显示电极与所述公共电极之间形成的电容各不相同，所述制作方法包括：采用一次构图工艺形成两个所述显示电极。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述采用一次构图工艺形成两个所述显示电极包括：

在阵列基板上形成第一电极层和保护层；

通过一次构图工艺利用所述第一电极层形成信号线、源电极、漏电极、第一显示电极和第二显示电极，其中所述第一显示电极上保留有所述保护层，移除所述第二显示电极上的所述保护层。

3.根据权利要求2所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法具体包括：

提供一基板，在所述基板上形成栅金属层，通过第一次构图工艺形成扫描线图形；

在经过第一次构图工艺的基板上依次形成栅绝缘层和半导体有源层、欧姆接触层，经过第二次构图工艺形成硅岛及沟道图形；

在经过第二次构图工艺的基板上依次形成第一电极层和保护层，在保护层上涂覆光刻胶，使用半曝光技术，利用掩膜版对不同位置的光刻胶曝光，显影后形成不同厚度的光刻胶膜层；

经过第三次构图工艺后，形成由第一电极层构成的信号线、源电极、漏电极、第一显示电极、第二显示电极以及保护层图形，所述保护层图形覆盖所述第一显示电极，未覆盖所述第二显示电极。

4.根据权利要求2所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法具体包括：

提供一基板，在所述基板上形成栅金属层，通过第一次构图工艺形成扫描线图形；

在经过第一次构图工艺的基板上依次形成栅绝缘层和半导体有源层、欧姆接触层，通过半曝光技术，形成硅岛图形；

在经过第二次构图工艺的基板上依次形成第一电极层和保护层，在保护层上涂覆光刻胶，使用半曝光技术，利用掩膜版对不同位置的光刻胶曝光，显影后形成不同厚度的光刻胶膜层；

经过第三次构图工艺后，形成沟道图形以及由第一电极层构成的信号线、源电极、漏电极和第一显示电极、第二显示电极以及保护层图形，所述保护层图形覆盖所述第一显示电极，未覆盖所述第二显示电极。

5.根据权利要求3或4所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，

所述栅绝缘层的厚度为0.2～0.5μm；

所述保护层的厚度为0.3～0.6μm；

所述第一电极层的厚度为0.05～0.4μm；

所述半导体有源层为采用a-Si，所述欧姆接触层为采用n+a-Si，所述a-Si层的厚度为0.15～0.25μm，所述n+a-Si层的厚度为0.05～0.1μm。

6.根据权利要求2所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法具体包括：

提供一基板，在所述基板上沉积栅金属层，通过第一次构图工艺形成扫描线图形；

在经过第一次构图工艺的基板上依次沉积栅绝缘层和半导体有源层、欧姆接触层，经过第二次构图工艺形成硅岛及沟道图形；

在经过第二次构图工艺的基板上依次沉积第一电极层和保护层，在保护层上涂覆光刻胶，使用半曝光技术，利用掩膜版对不同位置的光刻胶曝光，显影后形成不同厚度的光刻胶膜层；

经过第三次构图工艺后，形成由第一电极层构成的信号线、源电极、漏电极和第一显示电极、第二显示电极以及保护层图形，所述保护层图形覆盖所述第一显示电极，覆盖所述第二显示电极的一部分；

在经过第三次构图工艺的基板上沉积第二电极层，通过第四次构图工艺形成第三显示电极，所述第三显示电极位于所述第二显示电极以及覆盖所述第二显示电极的部分保护层图形的上方。

7.根据权利要求6所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，

所述栅绝缘层的厚度为0.2～0.5μm；

所述保护层的厚度为0.3～0.6μm；

所述第一电极层的厚度为0.05～0.4μm；

所述第二电极层的厚度为0.05～0.1μm；

所述半导体有源层为采用a-Si，所述欧姆接触层为采用n+a-Si，所述a-Si层的厚度为0.15～0.25μm，所述n+a-Si层的厚度为0.05～0.1μm。