[发明专利]一种MOM电容的制造方法

权利要求书

1.一种MOM电容的制造方法，其中，所述MOM电容包括第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极均采用指状结构，分别由数个相互平行的指状极板单端相连而成，所述第一电极与第二电极相对交错排布，位于同层绝缘介质中；

其特征在于，所述制造方法包括如下步骤：

提供一半导体基底；

在所述半导体基底上沉积绝缘介质层；

通过两次图形化工艺，在所述绝缘介质层中分别形成代表第一电极图形的第一沟槽和代表第二电极图形的第二沟槽；

在所述第一沟槽和第二沟槽中填充金属，形成第一电极与第二电极。

2.如权利要求1所述的一种MOM电容的制造方法，其特征在于，在所述绝缘介质层中形成代表第一电极图形的第一沟槽和代表第二电极图形的第二沟槽的步骤包括：

A.在所述绝缘介质层上沉积硬掩膜介质层；

B.在所述硬掩膜介质层上涂布第一光刻胶层，通过光刻、刻蚀，对所述硬掩膜介质层进行第一次图形化，利用在所述硬掩膜介质层上形成的第一凹槽定义第一电极图形；

C.去除剩余第一光刻胶层，在所述硬掩膜介质层及绝缘介质层表面涂布第二光刻胶层，通过光刻、刻蚀，对所述硬掩膜介质层进行第二次图形化，利用第二次图形化中在所述硬掩膜介质层上形成的第二凹槽定义第二电极图形；

D.去除剩余第二光刻胶层，以经过两次图形化后的硬掩膜介质层为掩膜，对所述绝缘介质层进行刻蚀，形成第一沟槽和第二沟槽。

3.如权利要求1所述的一种MOM电容的制造方法，其特征在于，在所述绝缘介质层中形成代表第一电极图形的第一沟槽和代表第二电极图形的第二沟槽的步骤包括：

A．在所述绝缘介质层上涂布第一光刻胶层，通过光刻、刻蚀，对所述绝缘介质层进行第一次图形化，利用在所述绝缘介质层上形成的第一沟槽定义第一电极图形；

B．去除剩余第一光刻胶层，在所述绝缘介质层及衬底表面涂布第二光刻胶层，通过光刻、刻蚀，对所述绝缘介质层进行第二次图形化，利用第二次图形化中在所述绝缘介质层上形成的第二沟槽定义第二电极图形；

C．去除剩余第二光刻胶层。

4.如权利要求1所述的一种MOM电容的制造方法，其特征在于，在所述第一沟槽和第二沟槽中填充的金属为铜。

5.如权利要求4所述的一种MOM电容的制造方法，其特征在于，在所述第一沟槽和第二沟槽中填充金属铜所使用的工艺是电镀。

6.如权利要求1所述的一种MOM电容的制造方法，其特征在于，在所述半导体基底上沉积绝缘介质层是利用等离子体增强化学气相沉积技术实现的。

7.如权利要求1所述的一种MOM电容的制造方法，其特征在于，在所述沟槽中填充金属后还包括利用化学机械抛光技术进行平坦化步骤。

8.如权利要求1所述的一种MOM电容的制造方法，其特征在于，所述半导体基底包括衬底及形成在所述衬底上的前道器件和N层后道金属层，其中，N为大于等于零的整数。