[发明专利]半导体封装体和堆叠半导体封装体

权利要求书

1.一种半导体封装体，包括：

半导体芯片，具有多个接合垫；

电介质构件，形成在该半导体芯片之上使得各接合垫的一部分被暴露，并且具有梯形截面形状；以及

凸块，形成为覆盖各该接合垫的暴露部分和该电介质构件的一部分，并且具有台阶状截面形状。

2.根据权利要求1所述的半导体封装体，其中每个凸块包括：

第一平坦部分，形成在该接合垫的该暴露部分之上；

倾斜部分，从该第一平坦部分的一端倾斜延伸并且形成在该电介质构件的侧表面之上；以及

第二平坦部分，从该倾斜部分的一端延伸到该电介质构件的上表面的中间。

3.根据权利要求1所述的半导体封装体，其中该凸块包括：

种子金属层，覆盖该接合垫的该暴露部分和该电介质构件的一部分；以及

金属镀覆层，形成在该种子金属层之上。

4.根据权利要求3所述的半导体封装体，其中该金属镀覆层包括具有第一熔点的第一金属层和具有低于该第一熔点的第二熔点的第二金属层。

5.一种半导体封装体，包括：

半导体芯片，具有第一表面和背对该第一表面的第二表面，该第一表面上形成有多个接合垫，并且该半导体芯片形成有穿过该第一表面和该第二表面且与各接合垫连接的贯通电极；

电介质构件，形成在该第一表面之上使得各个该接合垫的一部分被暴露，并且形成在该第一表面和第二表面之上使得该贯通电极不被覆盖，并且其中该电介质构件具有梯形截面形状；以及

凸块，形成在该半导体芯片的该第一表面和该第二表面的暴露部分之上以及该电介质构件的一部分之上，并且具有台阶状截面形状。

6.根据权利要求5所述的半导体封装体，其中每个凸块包括：

第一平坦部分，形成在该接合垫的暴露部分之上；

倾斜部分，从该第一平坦部分的一端倾斜延伸并且形成在该电介质构件的侧表面之上；以及

第二平坦部分，从该倾斜部分的一端延伸到该电介质构件的上表面的中间。

7.根据权利要求5所述的半导体封装体，其中该凸块包括：

种子金属层，覆盖该接合垫的该暴露部分和该电介质构件的一部分；以及

金属镀覆层，形成在该种子金属层之上。

8.根据权利要求7所述的半导体封装体，其中该金属镀覆层包括具有第一熔点的第一金属层和具有低于该第一熔点的第二熔点的第二金属层。

9.根据权利要求5所述的半导体封装体，其中形成在该半导体芯片的第一表面之上的该凸块设置为覆盖该接合垫的没有被该电介质构件覆盖的暴露部分以及该电介质构件的一半部分。

10.根据权利要求5所述的半导体封装体，其中形成在该半导体芯片的第二表面之上的该凸块设置为具有与各贯通电极连接的一端和覆盖各电介质构件的一半的另一端。

11.一种堆叠半导体封装体，包括：

第一半导体封装体，包括半导体芯片、电介质构件和凸块，该半导体芯片具有第一表面和第二表面并且在该第一表面之上形成有多个接合垫，该电介质构件形成为暴露各个该接合垫的一部分且具有梯形截面形状，该凸块形成为覆盖各个该接合垫的暴露部分和该电介质构件的一部分并且具有台阶状截面形状；以及

第二半导体封装体，具有与该第一半导体封装体相同的结构，

其中该第一半导体封装体和第二半导体封装体堆叠为使得其凸块彼此面对且彼此连接。

12.根据权利要求11所述的堆叠半导体封装体，其中每个凸块包括：

第一平坦部分，形成在该接合垫的暴露部分之上；

倾斜部分，从该第一平坦部分的一端倾斜延伸，并且形成在该电介质构件的侧表面之上；以及

第二平坦部分，从该倾斜部分的一端延伸到该电介质构件的上表面的中间。

13.根据权利要求11所述的堆叠半导体封装体，其中该凸块包括：

种子金属层，覆盖该接合垫的该暴露部分和该电介质构件的一部分；以及

金属镀覆层，形成在该种子金属层之上。

14.根据权利要求13所述的堆叠半导体封装体，其中该金属镀覆层包括具有第一熔点的第一金属层和具有低于该第一熔点的第二熔点的第二金属层。