[发明专利]一种太阳电池组件用支撑件及其加工工艺有效
申请号: | 201210402802.6 | 申请日: | 2012-10-22 |
公开(公告)号: | CN102931252A | 公开(公告)日: | 2013-02-13 |
发明(设计)人: | 林建伟;夏文进;张育政;王志 | 申请(专利权)人: | 苏州中来光伏新材股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/048;B32B27/08;H01L31/18;B29C47/06 |
代理公司: | 北京金之桥知识产权代理有限公司 11137 | 代理人: | 林建军 |
地址: | 215542 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳电池 组件 支撑 及其 加工 工艺 | ||
技术领域
本发明涉及太阳电池组件领域,特别涉及一种太阳电池组件用支撑件。同时还涉及一种太阳电池组件用支撑件的加工工艺。
背景技术
随着太阳电池组件封装技术的提升,太阳电池组件的封装材料也越来越多,可以为背膜、玻璃等封装材料,用于支撑、固定太阳电池,并起到保护太阳电池组件的作用。由于电池背膜的刚度不够,而玻璃的重量太重,不利于太阳电池组件的封装和安排使用。制作一种太阳电池组件用支撑件,要求具有良好的硬度,否则在太阳电池组件生产过程中容易造成褶皱等问题,造成组件的缺陷或失效。同时还要求具有良好的抗环境侵蚀能力,具有耐湿热老化性,耐撕裂,耐水解性,耐腐蚀性能,以及持续抵御光照射的能力。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于克服上述现有技术的不足,提供一种刚性硬度还具有耐湿热老化,耐撕裂,耐水解,高的水蒸气阻隔性、高绝缘性能,高强度、尺寸稳定,易加工成型的太阳电池组件用支撑件,有利于保护太阳电池组件,延长太阳电池的使用寿命。
本发明所要解决的另一技术问题在于提供一种太阳电池组件用支撑件的加工工艺,该加工工艺方法简单便捷。根据本发明提供的一种太阳电池组件用支撑件的主要技术方案为:包括以降冰片烯共聚物、PA或PP或PVDF、MAH-g-POE和填料的共熔物所构成的面层,位于所述面层下表面的POE层构成的底层,所述的POE层可以为单层或两层。
本发明提供的一种太阳电池组件用支撑件还采用如下附属技术方案:
所述降冰片烯共聚物指的是降冰片烯和烯烃化合物、或降冰片烯和丙烯酸酯共聚合而形成的共聚物。
所述烯烃化合物选自乙烯、丙烯、丁烯、丁二烯、异戊二烯或辛烯中的一种或几种。
所述丙烯酸酯选自丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、2-甲基丙烯酸甲酯或2-甲基丙烯酸乙酯中的一种或几种。
所述面层的厚度为0.01mm-0.35mm,所述底层为单层结构的厚度为0.01mm-0.6mm;或所述底层为双层结构,其中上层的厚度为0.01mm-0.3mm,下层的厚度为0.01mm-0.3mm。
所述底层为双层结构时,上层与下层的POE为白色POE与透明POE的任意组合;或者上层与下层为非交联型POE与交联型POE的任意组合。
所述降冰片烯共聚物和MAH-g-POE的重量比为1:1-1.5:1,所述降冰片烯共聚物和PA的重量比为1:1-1.5:1,或所述降冰片烯共聚物和PVDF的重量比为1:1-1.5:1,或所述降冰片烯共聚物和PP的重量比为1:1-1.5:1。
本发明还提供了一种太阳电池组件用支撑件的加工工艺,主要包括以下步骤:
将降冰片烯共聚物和PA、或降冰片烯共聚物和PP、或降冰片烯共聚物和PVDF中的一种组合与MAH-g-POE和填料共熔,然后在180℃-240℃条件下将所得的共熔物挤出作为面层,将单层POE层作为底层,然后在180℃-240℃条件下,将所述面层和所述底层共挤出。
本发明还提供了一种太阳电池组件用支撑件的加工工艺,主要包括以下步骤:
将降冰片烯共聚物和PA、或降冰片烯共聚物和PP、或降冰片烯共聚物和PVDF中的一种组合与MAH-g-POE和填料共熔,然后在180℃-240℃条件下将所得的共熔物挤出作为面层,将双层POE在180℃-240℃条件下挤出作为底层,然后在180℃-240℃条件下,将所述面层和所述底层共挤出。
根据本发明提供的一种太阳电池组件用支撑件及其加工工艺,具有以下突出的优点:
(1)重量轻但具有一定的刚性硬度,且成本低,易加工;
(2)采用降冰片烯共聚物、MAH-g-POE作为背膜的原料,使得背膜具有耐湿热老化,耐撕裂,高的水蒸气阻隔性,尺寸稳定性能;
(3)通过本发明的加工工艺制备的太阳电池背膜各层的粘结性好,且这种工艺可实现连续化生产,提高了生产效率,降低了成本。
附图说明:
图1是本发明的太阳电池组件用支撑件的结构示意图。
具体实施方式:
本发明中,POE是聚烯烃弹性体,PA是聚酰胺,可以选自PA6、PA66、PA11、PA610或PA612,PVDF是聚偏氟乙烯。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的