[发明专利]一种太阳电池组件用支撑件及其加工工艺有效
申请号: | 201210402802.6 | 申请日: | 2012-10-22 |
公开(公告)号: | CN102931252A | 公开(公告)日: | 2013-02-13 |
发明(设计)人: | 林建伟;夏文进;张育政;王志 | 申请(专利权)人: | 苏州中来光伏新材股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/048;B32B27/08;H01L31/18;B29C47/06 |
代理公司: | 北京金之桥知识产权代理有限公司 11137 | 代理人: | 林建军 |
地址: | 215542 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳电池 组件 支撑 及其 加工 工艺 | ||
1.一种太阳电池组件用支撑件,其特征在于:包括以降冰片烯共聚物、PA或PP或PVDF、MAH-g-POE和填料的共熔物所构成的面层,位于所述面层下表面的POE层构成的底层,所述的POE层可以为单层或两层。
2.根据权利要求1所述的太阳电池组件用支撑件,其特征在于:所述降冰片烯共聚物指的是降冰片烯和烯烃化合物、或降冰片烯和丙烯酸酯共聚合而形成的共聚物。
3.根据权利要求2所述的太阳电池组件用支撑件,其特征在于:所述烯烃化合物选自乙烯、丙烯、丁烯、丁二烯、异戊二烯或辛烯中的一种或几种。
4.根据权利要求2所述的太阳电池组件用支撑件,其特征在于:所述丙烯酸酯选自丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、2-甲基丙烯酸甲酯或2-甲基丙烯酸乙酯中的一种或几种。
5.根据权利要求1所述的太阳电池组件用支撑件,其特征在于:所述面层的厚度为0.01mm-0.35mm,所述底层为单层结构的厚度为0.01mm-0.6mm;或所述底层为双层结构,其中上层的厚度为0.01mm-0.3mm,下层的厚度为0.01mm-0.3mm。
6.根据权利要求1所述的太阳电池组件用支撑件,其特征在于:所述底层为双层结构时,上层与下层的POE为白色POE与透明POE的任意组合;或者上层与下层为非交联型POE与交联型POE的任意组合。
7.根据权利要求1所述的太阳电池组件用支撑件,其特征在于:所述降冰片烯共聚物和MAH-g-POE的重量比为1:1-1.5:1,所述降冰片烯共聚物和PA的重量比为1:1-1.5:1,或所述降冰片烯共聚物和PVDF的重量比为1:1-1.5:1,或所述降冰片烯共聚物和PP的重量比为1:1-1.5:1。
8.根据权利要求1-7中任一所述的太阳电池组件用支撑件的加工工艺,其特征在于:主要包括以下步骤:
将降冰片烯共聚物和PA、或降冰片烯共聚物和PP、或降冰片烯共聚物和PVDF中的一种组合与MAH-g-POE和填料共熔,然后在180℃-240℃条件下将所得的共熔物挤出作为面层,将单层POE层作为底层,然后在180℃-240℃条件下,将所述面层和所述底层共挤出。
9.根据权利要求1-7中任一所述的太阳电池组件用支撑件的加工工艺,其特征在于:主要包括以下步骤:
将降冰片烯共聚物和PA、或降冰片烯共聚物和PP、或降冰片烯共聚物和PVDF中的一种组合与MAH-g-POE和填料共熔,然后在180℃-240℃条件下将所得的共熔物挤出作为面层,将双层POE在180℃-240℃条件下挤出作为底层,然后在180℃-240℃条件下,将所述面层和所述底层共挤出。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的