[发明专利]一种晶体硅太阳能电池减反射膜

说明书

 

技术领域

本发明涉及一种太阳能电池的减反射膜结构，尤其是叠层减反射膜结构，具体是一种晶体硅太阳能电池减反射膜。

背景技术

太阳能电池是把太阳能转化成电能的装置，太阳能电池片的转换效率一般定义为电池片的输出功率与入射到电池片表面的太阳光总功率之比。太阳光照射到电池片表面是会发生反射和折射，为提高电池片的转换效率，则要尽量减少反射损失。减反射膜的制作直接影响着太阳能电池对入射光的反射率，对太阳能电池效率的提高起着非常重要的作用。

目前在晶体硅太阳能电池的大规模生产中主要使用PEVCD方法镀单层或双层氮化硅膜、二氧化硅膜、二氧化钛膜或者其中两种膜的组合来降低太阳能电池表面的反射损失，增加太阳能电池的钝化效果，从而提高晶体硅太阳能电池的光电转换效率。但现有的单层或双层膜，虽然已经能够起到较好的钝化和减反射效果，但其反射率依然很高，单层膜的反射率在6.5%-7%，双层膜的反射率在5.8%-6.1%，仍然存在较多的反射损失，晶体硅太阳能电池的光电转换效率依然很低。

发明内容

本发明的目的在于针对现有技术中存在的上述问题，通过一种降低电池表面对光的反射，提高太阳能电池的光电转换效率的晶体硅太阳能电池四层减反射膜。

本发明的目的可以通过以下技术方案实现：

一种晶体硅太阳能电池减反射膜，其特征在于包括在硅片表面依次沉积氮氧化硅膜层、二氧化钛膜层、氮化硅膜层和二氧化硅膜层。

所述的氮氧化硅膜层的厚度为5-12nm，折射率为2.16-2.35。

所述的氮氧化硅膜层的厚度为8nm。

所述的二氧化钛膜层的厚度为15-20nm，折射率为1.96-2.08。

所述的二氧化钛膜层的厚度为18nm。

所述的氮化硅膜层的厚度为25-35nm，折射率为1.78-1.92nm。

所述的氮化硅膜层的厚度为30nm。

所述的二氧化硅膜层的厚度为40-50nm，折射率为1.44-1.55。

所述的二氧化硅膜层的厚度为45nm。

所述四个膜层的折射率从氮氧化硅膜层到二氧化硅膜层依次减小，所述四个膜层的厚度从氮氧化硅膜层到二氧化硅膜层依次增大。

本发明的有益效果：本发明提供的减反射膜，包括依次沉积在硅片上的氮氧化硅膜层、二氧化钛膜层、氮化硅膜层和二氧化硅膜层，其中二氧化钛膜层对电池片生产过程中的大多数化学物质都有很好的化学稳定性，其折射率高和吸收率低，氮化硅膜层对硅片具有良好的钝化效果，二氧化硅膜层具有高损伤阈值和优良的光学性能，氮氧化硅具有氮化硅和氧化硅的优良特性，因此，能够很好地提高光学转换效率。

附图说明

图1为本发明结构示意图。

图中：1、硅片，2、氮氧化硅膜层，3、二氧化钛膜层，4、氮化硅膜层，5、二氧化硅膜层。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步描述。

如图1所示。一种晶体硅太阳能电池减反射膜，在太阳能电池硅片1表面依次沉积氮氧化硅膜层2、二氧化钛膜层3、氮化硅膜层4和二氧化硅膜层5。本发明使用的氮氧化硅膜层2的厚度为8nm，折射率为2.16；二氧化钛膜层3的厚度为18nm，折射率为2.02；氮化硅膜层4的厚度为30nm，折射率为1.85；二氧化硅膜层5的厚度为45nm，折射率为1.48。