[发明专利]一种晶体硅太阳能电池减反射膜无效
| 申请号： | 201210401694.0 | 申请日： | 2012-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN103000705A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 张晨;张森林 | 申请（专利权）人： | 江苏晨电太阳能光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 张惠忠 |
| 地址： | 223700 江苏省宿*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 太阳能电池 减反射膜 | ||
1.一种晶体硅太阳能电池减反射膜，其特征在于包括在硅片表面依次沉积氮氧化硅膜层、二氧化钛膜层、氮化硅膜层和二氧化硅膜层。
2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池减反射膜，其特征在于所述的氮氧化硅膜层的厚度为5-12nm，折射率为2.16-2.35。
3.根据权利要求2所述的晶体硅太阳能电池减反射膜，其特征在于所述的氮氧化硅膜层的厚度为8nm。
4.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池减反射膜，其特征在于所述的二氧化钛膜层的厚度为15-20nm，折射率为1.96-2.08。
5.根据权利要求4所述的晶体硅太阳能电池减反射膜，其特征在于所述的二氧化钛膜层的厚度为18nm。
6.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池减反射膜，其特征在于所述的氮化硅膜层的厚度为25-35nm，折射率为1.78-1.92nm。
7.根据权利要求6所述的晶体硅太阳能电池减反射膜，其特征在于所述的氮化硅膜层的厚度为30nm。
8.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池减反射膜，其特征在于所述的二氧化硅膜层的厚度为40-50nm，折射率为1.44-1.55。
9.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池减反射膜，其特征在于所述的二氧化硅膜层的厚度为45nm。
10.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池减反射膜，其特征在于所述四个膜层的折射率从氮氧化硅膜层到二氧化硅膜层依次减小，所述四个膜层的厚度从氮氧化硅膜层到二氧化硅膜层依次增大。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
