[发明专利]探针卡用接触端子和探针卡

说明书

技术领域

本发明涉及探针卡用接触端子和探针卡。

背景技术

为了进行形成于晶片的各半导体器件的检查，使用探测器作为检查装置。探测器具备载置晶片的基台和能够与该基台相对的探针卡。探针卡具备：板状的基部；和在基部的与基台的相对面以与晶片的半导体器件的各电极焊盘和各焊锡凸块相对的方式配置的多个柱状接触端子、即伸缩探针（pogo pin）（弹簧探针）的柱塞和接触探针（例如，参照专利文献1）。

在探测器中，当载置于基台上的晶片和探针卡相对时，探针卡的各接触端子与半导体器件的电极焊盘和焊锡凸块接触，使电从各接触端子向与各电极焊盘和各焊锡凸块连接的半导体器件的电路流动，由此来检查该电路的导通状态等。

近年来，随着半导体器件的电路的微细化的进展，电极焊盘和焊锡凸块也在微细化。随之，推进了探针卡的接触端子的小径化，但接触端子的小径化导致电极焊盘和接触端子的接触压（接触压强）的增加，结果是，接触端子的磨损严重。因此，为了防止接触端子的磨损，用硬度高的高耐磨损性材料构成该接触端子。

现有技术文献

专利文献1：日本特开2002－22768号公报

发明内容

发明想要解决的问题

但是，通常，高耐磨损性材料的电阻率大，另外，接触端子对电流的传导性也因小径化而降低，其结果，接触端子的电阻值变大，因此，当使电流向接触端子流动时，该接触端子大量发热进行氧化，并且周围的接触端子也进行氧化。另外，当接触端子的发热量非常大时，该接触端子有可能发生熔损。

本发明的目的在于，提供一种能够防止氧化和熔损的探针卡用接触端子和探针卡。

为了达到上述目的，技术方案1记载的探针卡用接触端子的特征在于，具备柱状的主体，所述主体具有：包含第一材料的柱状的中心部；和包含第二材料且覆盖所述中心部的侧表面的外部筒，所述第二材料的硬度和电阻率与所述第一材料的硬度和电阻率不同。

技术方案2记载的探针卡用接触端子的特征在于，在技术方案1记载的探针卡用接触端子中，所述第二材料的硬度比所述第一材料的硬度高，所述第一材料的电阻率比所述第二材料的电阻率小。

技术方案3记载的探针卡用接触端子的特征在于，在技术方案1记载的探针卡用接触端子中，所述第一材料的硬度比所述第二材料的硬度高，所述第二材料的电阻率比所述第一材料的电阻率小。

技术方案4记载的探针卡用接触端子的特征在于，在技术方案1～技术方案3中任一项记载的探针卡用接触端子中，所述主体的与半导体器件接触的部分呈锤形状。

技术方案5记载的探针卡用接触端子的特征在于，在技术方案1～技术方案3中任一项记载的探针卡用接触端子中，所述主体的与半导体器件接触的部分呈炮弹形状。

技术方案6记载的探针卡用接触端子的特征在于，在技术方案1～技术方案3中任一项记载的探针卡用接触端子中，所述主体的与半导体器件接触的部分呈柱端形状。

技术方案7记载的探针卡用接触端子的特征在于，在技术方案1～技术方案3中任一项记载的探针卡用接触端子中，所述主体的与半导体器件接触的部分，通过沿着相对于所述主体的中心轴倾斜的面切除所述主体而形成。

技术方案8记载的探针卡用接触端子的特征在于，在技术方案2记载的探针卡用接触端子中，所述中心部的粗细为0.5μm～50μm，所述外部筒的厚度为0.5μm～100μm。

技术方案9记载的探针卡用接触端子的特征在于，在技术方案3记载的探针卡用接触端子中，所述中心部的粗细为0.5μm～50μm，所述外部筒的厚度为0.5μm～100μm。

为了实现上述目的，技术方案10记载的一种探针卡，其对形成于半导体基板的半导体器件进行检查，该探针卡的特征在于，具备：板状的基部；和多个在该基部的与所述半导体基板相对的面配置的探针卡用接触端子，所述探针卡用接触端子各自具有柱状的主体，所述主体具有：包含第一材料的柱状的中心部；和包含第二材料且覆盖所述中心部的侧表面的外部筒，所述第二材料的硬度和电阻率与所述第一材料的硬度和电阻率不同。

发明效果

根据本发明，形成外部筒的第二材料的硬度和电阻率与形成中心部的第一材料的硬度和电阻率不同，因此，不会使外部筒和中心部的任一者磨损，作为结果能够抑制主体的变形，另一方面使电流顺畅地流过，防止主体发热，作为结果能够防止主体的氧化和熔损。

附图说明

图1是示意性地表示本发明实施方式的探针卡的构成的立体图。