[发明专利]有机发光装置有效
申请号: | 201210397278.8 | 申请日: | 2012-10-18 |
公开(公告)号: | CN103199197B | 公开(公告)日: | 2017-09-26 |
发明(设计)人: | 权五炫;申东雨;韩洁;金瑟雍 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司11204 | 代理人: | 王达佐,阴亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 装置 | ||
相关专利申请的引用
本申请要求2012年1月5日在韩国知识产权局提交的第10-2012-0001552号韩国专利申请的优先权和权益,所述申请的全部内容并入本文作为参考。
背景
1.技术领域
本发明涉及有机发光装置及其制造方法,并且更具体地,涉及包括共同发射层的有机发光装置以及制造所述有机发光装置的方法。
2.相关技术的描述
有机发光装置(OLED)是自发光装置,当向其施加电压时其发光。OLED具有高亮度、良好对比度、广视角、高响应速率和低驱动电压。OLED还能给予多色图像。
有机发光装置具有的结构包括在阳极和阴极之间布置的有机发射层。当对电极施加电压时,空穴从阳极并且电子从阴极注入有机发射层。注入的空穴和电子在有机发射层中与相邻分子进行电子交换,由此迁移至相反的电极。在某个分子中重组的电子-空穴对形成高能量激发态的分子激子。分子激子在重返低能量基态时发射独特的波长。
有机发光装置包括多个像素,并且每一像素包括红光发射区域、绿光发射区域和蓝光发射区域。在这种情况下,通过将蓝光发成层形成为共同层可以构图过程。通过形成具有主体和掺杂剂结构的发射层,外部量子效率增加,并且控制发射波长。
概述
当作为共同层的蓝色发射层包括主体和掺杂剂时,空穴传输效率降低。因此,本发明的实施方案包括包含共同发射层的有机发光装置,由此增加空穴传输效率。
根据本发明的一方面,有机发光装置包括衬底;在所述衬底上形成的且与所述衬底平行的第一电极层和第二电极层,使得所述第一和第二电极层彼此相对;在所述第一电极层和所述第二电极层之间的发射层,其中所述发射层包括第一发射区域、第二发射区域和第三发射区域,其中所述发射层包括在所述第一发射区域、第二发射区域和第三发射区域中的第一共同发射层;在第一共同发射层和第二电极层之间的第二发射区域中的第二发射层;以及在第一共同发射层和第二电极层之间的第三发射区域中的第三发射层,并且其中所述第一共同发射层包括第一主体、第一掺杂剂和p型掺杂剂。
p型掺杂剂的最低未占据分子轨道(LUMO)能量水平和第一主体的最高占据分子轨道(HOMO)能量水平之间的差值可以为约0.2eV至约1.0eV。
p型掺杂剂可以具有等于或小于5.5eV的LUMO能量水平。
p型掺杂剂可以包括2,3,5,6-四氟-7,7’,8,8’-四氰基醌二甲烷(F4TCNQ)、7,7’,8,8’-四氰基醌二甲烷(TCNQ)、苝-3,4,9,10-四羧基-3,4,9,10-二酐(PTCDA)、1,3,2-二氧杂硼烷衍生物、FeCl3、FeF3或SbCl5。
基于第一共同发射层的总质量,p型掺杂剂的量可以为约0.5%重量比至约3%重量比。
第一发射区域可以为蓝色发射区域,第二发射区域可以为红色发射区域,并且第三发射区域可以为绿色发射区域。第一共同发射层可以为蓝色共同发射层。
第一共同发射层可以包括红色共同发射层或绿色共同发射层。
有机发光装置还可以包括在所述第一电极层和所述发射层之间的空穴注入层或空穴传输层。有机发光装置还可以包括在所述第二电极层和所述发射层之间的电子注入层或电子传输层。
有机发光装置还可以包括在所述发射层和所述第二电极层之间的共振层。共振层的厚度可以根据所述第一发射区域、第二发射区域和第三发射区域的共振距离在所述第一发射区域、第二发射区域和第三发射区域中变化。共振层可以包括电子传输层。
所述第一电极层可以为阳极,并且所述第二电极层可以为阴极。
附图简要说明
当与附图一起考虑时,通过参考下列详细描述,本发明的上述和其它特征以及优点将显而易见,其中:
图1为本发明一实施方案的有机发光装置的横截面示意图;
图2为本发明一实施方案的蓝色共同发射层中的主体、发射掺杂剂和p型掺杂剂的能量水平的图;以及
图3为实施例1和2以及对比例1至3的有机发光装置的空穴电流密度对电压进行比较的图表。
发明详述
在下文,通过根据附图阐述本发明实施方案来详细地描述本发明。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择