[发明专利]有机发光装置有效
申请号: | 201210397278.8 | 申请日: | 2012-10-18 |
公开(公告)号: | CN103199197B | 公开(公告)日: | 2017-09-26 |
发明(设计)人: | 权五炫;申东雨;韩洁;金瑟雍 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司11204 | 代理人: | 王达佐,阴亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 装置 | ||
1.有机发光装置,其包括:
衬底;
在所述衬底上且与所述衬底平行的第一电极层和第二电极层,所述第一和第二电极层彼此相对;
在所述第一电极层和所述第二电极层之间的发射层;
其中,所述发射层包括第一发射区域、第二发射区域和第三发射区域;
其中,所述发射层包括在所述第一发射区域、第二发射区域和第三发射区域中的第一共同发射层;在所述第一共同发射层和所述第二电极层之间的所述第二发射区域中的第二发射层;以及在所述第一共同发射层和所述第二电极层之间的所述第三发射区域中的第三发射层;
其中,所述第一共同发射层包括第一主体、第一发光掺杂剂和p型掺杂剂,以及
其中,所述p型掺杂剂的最低未占据分子轨道(LUMO)能量水平和所述第一主体的最高占据分子轨道(HOMO)能量水平之间的差值为0.2eV至1.0eV;
其中,基于所述第一共同发射层的总重量,所述p型掺杂剂的量为0.5%重量比至2%重量比。
2.如权利要求1所述的有机发光装置,其中所述p型掺杂剂具有等于或小于5.5eV的LUMO能量水平。
3.如权利要求1所述的有机发光装置,其中所述p型掺杂剂包括2,3,5,6-四氟-7,7’,8,8’-四氰基醌二甲烷(F4TCNQ)、7,7’,8,8’-四氰基醌二甲烷(TCNQ)、苝-3,4,9,10-四羧基-3,4,9,10-二酐(PTCDA)、1,3,2-二氧杂硼烷衍生物、FeCl3、FeF3或SbCl5。
4.如权利要求1所述的有机发光装置,其中所述第一发射区域为蓝色发射区域,所述第二发射区域为红色发射区域,并且所述第三发射区域为绿色发射区域。
5.如权利要求4所述的有机发光装置,其中所述第一共同发射层为蓝色共同发射层。
6.如权利要求5所述的有机发光装置,其中所述第一主体包括Alq3、4,4’-N,N’-二咔唑-联苯(CBP)、聚(正乙烯基咔唑)(PVK)、9,10-二(萘-2-基)蒽(ADN)、TCTA、1,3,5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)、3-叔丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽(TBADN)、E3或联苯乙烯(DSA)。
7.如权利要求5所述的有机发光装置,其中所述第一发光掺杂剂包括蓝色磷光掺杂剂或蓝色荧光掺杂剂。
8.如权利要求5所述的有机发光装置,其中所述第一发光掺杂剂包括F2Irpic、(F2ppy)2Ir(tmd)、Ir(dfppz)3、三芴、4,4’-双(4-二苯基氨基苯乙烯基)联苯(DPAVBi)或2,5,8,11-四-叔丁基苝(TBPe)。
9.如权利要求4所述的有机发光装置,其中所述第一共同发射层包括红色共同发射层或绿色共同发射层。
10.如权利要求1所述的有机发光装置,其还包括在所述第一电极层和所述发射层之间的空穴注入层或空穴传输层。
11.如权利要求1所述的有机发光装置,其还包括在所述第二电极层和所述发射层之间的电子注入层或电子传输层。
12.如权利要求10所述的有机发光装置,其还包括在所述空穴注入层或所述空穴传输层和所述发射层之间的电子阻挡层。
13.如权利要求12所述的有机发光装置,其还包括在所述发射层和所述电子传输层或所述电子注入层之间的空穴阻挡层。
14.如权利要求1所述的有机发光装置,其还包括在所述发射层和所述第二电极层之间的共振层。
15.如权利要求14所述的有机发光装置,其中所述共振层包括电子传输层。
16.如权利要求15所述的有机发光装置,其中所述共振层的厚度根据所述第一发射区域、第二发射区域和第三发射区域的共振距离在所述第一发射区域、第二发射区域和第三发射区域中变化。
17.如权利要求1所述的有机发光装置,其中所述第一电极层为阳极,并且所述第二电极层为阴极。
18.如权利要求1所述的有机发光装置,其中所述第一电极层为阴极,并且所述第二电极层为阳极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择