[发明专利]共掺杂透明导电薄膜的制备方法有效

专利信息
申请号: 201210393515.3 申请日: 2012-10-17
公开(公告)号: CN102877049A 公开(公告)日: 2013-01-16
发明(设计)人: 马洪芳;马芳;刘志宝;刘文斐 申请(专利权)人: 山东建筑大学
主分类号: C23C20/08 分类号: C23C20/08
代理公司: 济南舜源专利事务所有限公司 37205 代理人: 侯绪军
地址: 250101 山东省*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 掺杂 透明 导电 薄膜 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种透明导电薄膜的制备方法,特别涉及一种共掺杂透明导电薄膜的制备方法。

背景技术

透明导电薄膜是一种有着优异光电性能的薄膜,这类薄膜具有宽禁带,在可见光区有高透射率,在红外区有高反射率,对微波有强衰减性,同时电阻率较低,化学性能也较为稳定,因此在太阳能电池、表面声学波器件、平板显示器、建筑玻璃等领域均得到了广泛应用。目前工艺较为成熟的为ITO(tin-doped indium oxide, In2O3:Sn)透明导电薄膜,但ITO薄膜自身的局限性限制了它的应用:铟有剧毒;价格昂贵;在氢等离子体气氛下光学特性易发生恶化。相对于ITO来说,ZnO基薄膜是一种性价比高,环境友好的透明导电薄膜,不仅在氢等离子体环境中具有高的稳定性,且具有优良的光电特性:低电阻率、高透过率、高载流子浓度等。未经过掺杂的ZnO薄膜的电学性质很不稳定,在制备过程中,适当的掺杂能较大幅度的提高薄膜的各项性能。目前最常见的是对ZnO薄膜进行Al元素的单掺杂。但Ga-O的共价键长比Al-O更接近于Zn-O的共价键长,且两者的原子序数仅相差1,掺杂后不易引起大的晶格畸变,因此有必要选择Ga和Al对ZnO进行共掺杂,获得一种新的具有优良光电性能的透明导电薄膜,使其得到更好利用。

发明内容

本发明提供一种新的掺杂方式,以获得具有优良光电性能的透明导电薄膜,使其得到更好利用。

本发明的目的是采用下述技术方案实现的:

一种共掺杂透明导电薄膜的制备方法,它包括以下步骤: 

A)前处理:将普通载玻片先后放入丙酮(C3H6O)、无水乙醇及去离子水中进行超声清洗,然后吹干备用;

B)溶胶配制:将二水合乙酸锌(CH3COO)2Zn·2H2O溶于乙二醇甲醚C3H6O2后,加入Al3+,然后加入Ga3+,其中Al3+和Ga3+的掺杂比Al3+/Ga3+为8-1;最后加入与乙酸锌等摩尔的单乙醇胺(MEA);将上述混合液放入40-80°C水浴锅中搅拌,然后陈化得到溶胶; 

C)旋涂镀膜:将通过A)步骤前处理后的载玻片放置于匀胶机的载物台上,把通过B)步骤陈化好的溶胶滴加在玻璃衬底上,旋转,随后烘干;

D)热处理:将通过C)步骤处理的镀膜载玻片于150-400°C下预烧后,继续C)步骤,如此重复涂镀4-14层后,在450-700°C条件下退火1h。

优选的共掺杂透明导电薄膜的制备方法,它包括以下步骤: 

A)前处理:将2×2cm的普通载玻片先后放入丙酮(C3H6O)、无水乙醇及去离子水中超声清洗,分别进行5-20min,然后吹干备用;

B)溶胶配制:配制浓度为0.25-2.5mol/L的溶胶:将二水合乙酸锌((CH3COO)2Zn·2H2O)溶于乙二醇甲醚(C3H6O2)后,加入浓度为0.5-3.0at%的Al3+,然后加入Ga3+,其中Al3+和Ga3+的掺杂比为Al3+/Ga3+=8-1;Al3+和Ga3+分别由九水合硝酸铝Al(NO3)3·9H2O和硝酸镓Ga(NO3)3提供;最后加入与乙酸锌等摩尔的单乙醇胺(MEA);将上述混合液放入40-80°C水浴锅中搅拌2h,然后陈化48h得到溶胶;

C)旋涂镀膜:将通过A)步骤前处理后的载玻片放置于匀胶机的载物台上,把通过B)步骤陈化好的溶胶滴加在玻璃衬底上,先在1000r/min低速下旋转10s,然后在3000r/min下旋转20s,随后于100°C烘干10min;

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