[发明专利]共掺杂透明导电薄膜的制备方法有效
| 申请号: | 201210393515.3 | 申请日: | 2012-10-17 | 
| 公开(公告)号: | CN102877049A | 公开(公告)日: | 2013-01-16 | 
| 发明(设计)人: | 马洪芳;马芳;刘志宝;刘文斐 | 申请(专利权)人: | 山东建筑大学 | 
| 主分类号: | C23C20/08 | 分类号: | C23C20/08 | 
| 代理公司: | 济南舜源专利事务所有限公司 37205 | 代理人: | 侯绪军 | 
| 地址: | 250101 山东省*** | 国省代码: | 山东;37 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 掺杂 透明 导电 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种共掺杂透明导电薄膜的制备方法,其特征在于,它包括以下步骤:
A)前处理:将普通载玻片先后放入丙酮(C3H6O)、无水乙醇及去离子水中进行超声清洗,然后吹干备用;
B)溶胶配制:将二水合乙酸锌(CH3COO)2Zn·2H2O溶于乙二醇甲醚C3H6O2后,加入Al3+,然后加入Ga3+,其中Al3+和Ga3+的掺杂比Al3+/Ga3+为8-1;最后加入与乙酸锌等摩尔的单乙醇胺(MEA);将上述混合液放入40-80°C水浴锅中搅拌,然后陈化得到溶胶;
C)旋涂镀膜:将通过A)步骤前处理后的载玻片放置于匀胶机的载物台上,把通过B)步骤陈化好的溶胶滴加在玻璃衬底上,旋转,随后烘干;
D)热处理:将通过C)步骤处理的镀膜载玻片于150-400°C下预烧后,继续C)步骤,如此重复涂镀4-14层后,在450-700°C条件下退火1h。
2.根据权利要求1所述的共掺杂透明导电薄膜的制备方法,其特征在于,它包括以下步骤:
A)前处理:将2×2cm的普通载玻片先后放入丙酮(C3H6O)、无水乙醇及去离子水中超声清洗,分别进行5-20min,然后吹干备用;
B)溶胶配制:配制浓度为0.25-2.5mol/L的溶胶:将二水合乙酸锌(CH3COO)2Zn·2H2O溶于乙二醇甲醚(C3H6O2)后,加入浓度为0.5-3.0at%的Al3+,然后加入Ga3+,其中Al3+和Ga3+的掺杂比为Al3+/Ga3+=8-1;Al3+和Ga3+分别由九水合硝酸铝Al(NO3)3·9H2O和硝酸镓Ga(NO3)3提供;最后加入与乙酸锌等摩尔的单乙醇胺(MEA);将上述混合液放入40-80°C水浴锅中搅拌2h,然后陈化48h得到溶胶;
C)旋涂镀膜:将通过A)步骤前处理后的载玻片放置于匀胶机的载物台上,把通过B)步骤陈化好的溶胶滴加在玻璃衬底上,先在1000r/min低速下旋转10s,然后在3000r/min下旋转20s,随后于100°C烘干10min;
D)热处理:将通过C)步骤处理后的镀膜载玻片于150-400°C下预烧后,继续C)步骤,如此重复涂镀4-14层后,在450-700°C条件下退火1h。
3.根据权利要求1或2所述的共掺杂透明导电薄膜的制备方法,其特征在于,所述的前处理中各步骤的超声时间为10min。
4.根据权利要求1或2所述的共掺杂透明导电薄膜的制备方法,其特征在于,所述的溶胶配制工序中,溶胶浓度为1.0mol/L,溶液中金属离子浓度满足C(Zn2+)+C(Al3+)+C(Ga3+)=100%,按97.5 at%Zn2++2.0at%Al3++0.5at% Ga3+配制,Al3+/Ga3+=4;混合液在水浴锅中的搅拌温度为60°C。
5.根据权利要求1或2所述的共掺杂透明导电薄膜的制备方法,其特征在于,所述热处理中的预烧温度为350°C,涂镀膜厚10层,最后的退火温度为600°C。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C20-00 通过固态覆层化合物抑或覆层形成化合物悬浮液分解且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C20-02 .镀金属材料
C23C20-06 .镀金属材料以外的无机材料
C23C20-08 ..镀化合物、混合物或固溶体,例如硼化物、碳化物、氮化物
C23C20-04 ..镀金属





