[发明专利]钝化层溶液组合物、薄膜晶体管阵列板及其制造方法

权利要求书

1.钝化层溶液组合物，包括由以下化学式1表示的有机硅氧烷树脂：

[化学式1]

其中各R为独立地选自具有1-25个碳原子的饱和烃及不饱和烃的取代基，且x和y各自独立地为1-200的整数，

其中各波浪线表示到H原子或到x硅氧烷单元或y硅氧烷单元的键、或到包括x硅氧烷单元或y硅氧烷单元或其组合的另一硅氧烷链的x硅氧烷单元或y硅氧烷单元的键。

2.权利要求1的钝化层溶液组合物，进一步包括溶剂，所述溶剂包括丙二醇单甲醚和丙二醇单乙基醚乙酸酯的一种或多种。

3.权利要求2的钝化层溶液组合物，其中所述有机硅氧烷树脂含量为4重量%-25重量%，基于所述钝化层溶液组合物的总重量。

4.权利要求3的钝化层溶液组合物，其中在化学式1中，R包括选自甲基、乙烯基和苯基的至少一种取代基。

5.权利要求4的钝化层溶液组合物，其中所述有机硅氧烷树脂具有100-10,000的重均分子量。

6.薄膜晶体管阵列板，包括：

基板；

设置在所述基板上的栅极线、半导体层、以及包括漏电极和源电极的数据线；和

设置在所述栅极线、半导体层和数据线上的钝化层，所述钝化层包括由以下化学式1表示的有机硅氧烷树脂：

[化学式1]

其中在化学式1中，R为至少一种选自具有1-25个碳原子的饱和烃或不饱和烃的取代基，且x和y各自独立地为1-200的整数，

其中各波浪线表示到H原子或到x硅氧烷单元或y硅氧烷单元的键、或到包括x硅氧烷单元或y硅氧烷单元或其组合的另一硅氧烷链的x硅氧烷单元或y硅氧烷单元的键。

7.权利要求6的薄膜晶体管阵列板，其中所述半导体层由氧化物半导体形成。

8.权利要求7的薄膜晶体管阵列板，其中所述栅极线包括：包括钛、钽和钼的至少一种的下部层；和包括铜或铜合金的上部层。

9.权利要求8的薄膜晶体管阵列板，其中所述数据线包括：包括钛、钽和钼的至少一种的下部层；和包括铜或铜合金的上部层。

10.权利要求9的薄膜晶体管阵列板，进一步包括

设置在所述钝化层上的像素电极，

其中所述钝化层具有接触孔，和所述像素电极通过所述接触孔连接到所述漏电极。

11.权利要求10的薄膜晶体管阵列板，其中在化学式1中，R包括选自甲基、乙烯基和苯基的至少一种取代基。

12.权利要求11的薄膜晶体管阵列板，其中所述有机硅氧烷树脂具有100-10,000的重均分子量。

13.权利要求6的薄膜晶体管阵列板，进一步包括设置在所述基板上的栅极绝缘层。

14.权利要求13的薄膜晶体管阵列板，其中所述栅极绝缘层包括选自氧化硅、氮化硅和氧氮化硅的至少一种绝缘材料。

15.薄膜晶体管阵列板的制造方法，包括：

在基板上形成包括如下的薄膜晶体管：栅极线、半导体层、以及包括漏电极和源电极的数据线；

涂覆包括由化学式1表示的有机硅氧烷树脂的溶液：

[化学式1]

其中，在化学式1中，R基团各自独立地选自具有1-25个碳原子的饱和烃及不饱和烃，且其中x和y各自独立地为1-200的整数，

其中各波浪线表示到H原子或到x硅氧烷单元或y硅氧烷单元的键、或到包括x硅氧烷单元或y硅氧烷单元或其组合的另一硅氧烷链的x硅氧烷单元或y硅氧烷单元的键；

覆盖在所述基板上的所述薄膜晶体管以形成初步钝化层；

通过掩模用光照射所述初步钝化层；和

使所述初步钝化层显影以形成具有接触孔的钝化层。