[发明专利]钝化层溶液组合物、薄膜晶体管阵列板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及钝化层溶液组合物、薄膜晶体管阵列板和所述薄膜晶体管阵列板的制造方法。

背景技术

通常，薄膜晶体管(TFT)阵列板用作用于独立地驱动在液晶显示器或有机电致发光(EL)显示器中的像素的电路板。薄膜晶体管阵列板包括传输扫描信号的扫描信号线或栅极线、传输图像信号的图像信号线或数据线、连接到所述栅极线和数据线的薄膜晶体管、和连接到所述薄膜晶体管的像素电极。

薄膜晶体管包括栅电极(其为栅极布线(线路，wire)的一部分)、形成沟道的半导体层、源电极(其为数据布线的一部分)和漏电极。薄膜晶体管为根据通过栅极线传输的扫描信号控制通过数据布线传输到像素电极的图像信号的开关元件。

当使用氧化物半导体作为半导体层和铜作为具有低电阻的布线时，在使用由常规的氧化硅或氮化硅制成的钝化层时，未实现期望的薄膜晶体管特性且布线(wiring)表面可被氧化。

发明内容

本发明的实施方式提供钝化层溶液组合物、薄膜晶体管阵列板及其制造方法，以提供当使用氧化物半导体作为半导体层和铜作为具有低电阻的布线路的以上问题的解决方案。

根据本发明的示例性实施方式的钝化层溶液组合物包括由以下化学式1表示的有机硅氧烷树脂：

[化学式1]

在本发明的示例性实施方式中，化学式1的R基团各自独立地为选自具有1-约25个碳原子的饱和烃及不饱和烃的取代基，且x和y各自为1-约200的整数，和其中各波浪线表示到H原子或到x硅氧烷单元或y硅氧烷单元的键、或到包括x硅氧烷单元或y硅氧烷单元或其组合的另一硅氧烷链的x硅氧烷单元或y硅氧烷单元的键。

在本发明的示例性实施方式中，所述有机硅氧烷树脂包括选自具有1-约25个碳原子的饱和烃及不饱和烃的至少一个(种)取代基，且包括约200-约400个Si原子。

在示例性实施方式中，化学式1中的各R取代基独立地选自甲基、乙烯基和苯基。

在示例性实施方式中，所述钝化层溶液组合物可进一步包括包含丙二醇单甲醚或丙二醇单乙基醚乙酸酯的溶剂。

在示例性实施方式中，所述钝化层溶液组合物可包括基于所述钝化层溶液组合物的总重量的约4重量%-约25重量%的本发明的有机硅氧烷树脂。

在本发明的有机硅氧烷树脂的实施方式中，化学式1中的R基团各自独立地选自甲基、乙烯基和苯基。

在示例性实施方式中，所述有机硅氧烷树脂具有约100-约10,000的重均分子量。

在示例性实施方式中，所述薄膜晶体管阵列板包括：基板；设置在所述基板上的栅极线、半导体层、以及包括漏电极和源电极的数据线；和设置在所述栅极线、半导体层和数据线上的钝化层，所述钝化层包括由以下化学式1表示的有机硅氧烷树脂。

[化学式1]

在化学式1中，R基团各自为选自具有1-约25个碳原子的饱和烃或不饱和烃的取代基，且x和y各自独立地为1-约200的整数，和其中各波浪线表示到H原子或到x硅氧烷单元或y硅氧烷单元的键、或到包括x硅氧烷单元或y硅氧烷单元或其组合的另一硅氧烷链的x硅氧烷单元或y硅氧烷单元的键。

在示例性实施方式中，所述薄膜晶体管阵列板的半导体层可由氧化物半导体形成。

在示例性实施方式中，所述薄膜晶体管阵列板的栅极线可包括：包括选自钛、钽和钼的至少一种金属的下部层；和包括铜或铜合金的上部层。

在示例性实施方式中，所述薄膜晶体管阵列板的数据线可包括：包括选自钛、钽和钼的至少一种金属的下部层；和包括铜或铜合金的上部层。

在示例性实施方式中，所述薄膜晶体管阵列板可进一步包括设置在所述钝化层上的像素电极，所述钝化层具有接触孔，和所述像素电极通过所述接触孔连接到所述漏电极。

在示例性实施方式中，化学式1的R基团各自为独立地选自甲基、乙烯基和苯基的取代基。

在示例性实施方式中，所述有机硅氧烷树脂具有约100-约10,000的重均分子量。

在示例性实施方式中，所述薄膜晶体管阵列板可进一步包括设置在基板上的栅极绝缘层。

在示例性实施方式中，所述栅极绝缘层可包括选自氧化硅、氮化硅和氧氮化硅的至少一种硅化合物。