[发明专利]制造非易失性存储器件的方法

权利要求书

1.一种制造非易失性存储器件的方法，包括以下步骤：

在包括第一区和第二区的衬底上形成第一绝缘层和第一导电层；

通过选择性地刻蚀所述第一区的第一导电层、第一绝缘层和衬底而在所述第一区中形成第一隔离沟槽；

形成填充在所述第一隔离沟槽中的第一隔离层；

在所述第一隔离层和所述第一导电层上形成第二绝缘层和导电的覆盖层；

刻蚀所述第二区的覆盖层和第二绝缘层；

在所得结构上形成第二导电层；以及

通过选择性地刻蚀所述第一区的第二导电层、覆盖层、第二绝缘层、第一导电层和第一绝缘层来形成第一栅图案，同时通过选择性地刻蚀所述第二区的第二导电层、第一导电层、第一绝缘层和衬底而在所述第二区中形成第二隔离沟槽，

通过去除所述第二区的第二导电层并且利用被刻蚀的覆盖层和被刻蚀的第二绝缘层作为刻蚀阻挡来选择性地刻蚀所述第二区的第一导电层和第一绝缘层而形成电阻器，

其中，形成第二隔离沟槽在形成第一隔离沟槽之后进行，而第一栅图案的形成和第二隔离沟槽的形成同时完成，

其中，在刻蚀所述覆盖层和所述第二绝缘层时，所述覆盖层和所述第二绝缘层被选择性地刻蚀并且被定位在所述第二区的有源区中。

2.如权利要求1所述的方法，在形成所述第一隔离层之后，还包括以下步骤：

去除所述第一隔离层的一部分，其中，所述第一区的第一导电层从所述第一隔离层突出。

3.如权利要求2所述的方法，其中，利用所述第一隔离层对所述第一导电层的刻蚀选择性来去除所述第一隔离层的一部分。

4.如权利要求1所述的方法，在形成所述第二隔离沟槽之后，还包括以下步骤：

形成填充在所述第一区的第一栅图案之间同时填充所述第二隔离沟槽的全部或一部分的第三绝缘层。

5.如权利要求1所述的方法，其中，在刻蚀所述覆盖层和所述第二绝缘层时，从所述第二区去除所述覆盖层和所述第二绝缘层。

6.如权利要求5所述的方法，在形成所述第二隔离沟槽之后，还包括以下步骤：

通过选择性地刻蚀所述第二区的第二导电层、第一导电层和第一绝缘层而在所述第二区中形成第二栅图案。

7.如权利要求6所述的方法，其中，形成所述第一栅图案的步骤包括以下步骤：

在所述第二导电层上形成第一掩模图案，以交替地覆盖所述第二导电层的在要形成所述第一区的控制栅的区域之间的区域；

在所述第一掩模图案的侧壁形成间隔件；

去除所述第一掩模图案；以及

通过利用间隔件执行刻蚀工艺来形成所述第一栅图案。

8.如权利要求7所述的方法，在形成所述第一栅图案和形成所述第二隔离沟槽之后，还包括以下步骤：

在从所述第一区的边缘去除所述第一栅图案的同时形成所述第二栅图案。

9.如权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一栅图案的步骤包括以下步骤：

在所述第二导电层上形成第一掩模图案，以交替地覆盖所述第二导电层的在要形成所述第一区的控制栅的区域之间的区域；

在所述第一掩模图案的侧壁形成间隔件；

去除所述第一掩模图案；以及

通过利用所述间隔件执行刻蚀工艺来形成所述第一栅图案。

10.如权利要求9所述的方法，在形成所述第一栅图案和形成所述第二隔离沟槽之后，还包括以下步骤：

在从所述第一区的边缘去除所述第一栅图案的同时形成所述电阻器。