[发明专利]有机发光显示装置及制造有机发光显示装置的方法

说明书

相关专利申请的交叉引用

本申请要求2011年12月23日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2011-0141715的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部合并于此。

技术领域

实施例涉及有机发光显示装置和制造有机发光显示装置的方法。

背景技术

近来，已考虑用便携式薄膜平板显示装置代替显示装置。在平板显示装置中，有机发光显示装置是自发射显示装置，并且具有宽视角、高对比度和高响应速度。由于这些优势，有机发光显示装置作为下一代显示装置正获得诸多关注。

有机发光显示装置包括中间层、第一电极和第二电极。中间层包括有机发射层，并且在向第一电极和第二电极施加电压时，有机发射层发射可见光。

发明内容

实施例提供一种改进栅绝缘层和氧化铟锡（ITO）层间的粘合缺陷的有机发光显示装置及其制造方法。

根据示例实施例的方面，提供一种有机发光显示装置，其包括：薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括活化层、与所述活化层绝缘并且包括下栅电极和上栅电极的栅电极、覆盖所述栅电极的层间绝缘膜和形成在所述层间绝缘膜上并且接触所述活化层的源电极和漏电极；有机发光器件，所述有机发光器件包括与所述薄膜晶体管电连接的像素电极、包括发射层的中间层和对电极，所述像素电极、所述中间层和所述对电极是以这个规定顺序顺次沉积的；形成在与所述活化层相同的层级上的起泡防止层；栅绝缘层，所述栅绝缘层覆盖所述活化层和所述起泡防止层，并且使所述活化层与所述栅电极绝缘；以及互连单元，所述互连单元包括沉积在所述栅绝缘层的、与所述起泡防止层对应的一部分上的第一层和第二层，其中所述起泡防止层防止所述栅绝缘层上的所述互连单元免于起泡。

所述起泡防止层可以形成在与所述活化层相同的层级上。

所述起泡防止层可以具有包括多个突起的表面。

所述栅绝缘层的面向所述互连单元的表面可以具有由于所述起泡防止层的突起而形成的粗糙部。

所述起泡防止层可以包括多晶硅。

所述第一层、所述下栅电极和所述像素电极各自可以包括透明导电金属氧化物。

所述第一层、所述下栅电极和所述像素电极各自可以包括从氧化铟锡（ITO）、氧化铟锌（IZO）、氧化锌（ZnO）、氧化铟（In₂O₃）、氧化铟镓（IGO）和氧化铝锌（AZO）的组中选择的至少一种。

所述上栅电极可以包括从Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W、MoW和Cu的组中选择的至少一种材料。

所述有机发光显示装置可以进一步包括电容器，所述电容器包括：形成在与所述活化层相同的层级上的下电容器电极，和形成在所述栅绝缘层上的上电容器电极，其中所述电容器与所述薄膜晶体管电联接。

所述第一层可以形成在与所述下栅电极相同的层级上。

根据示例实施例的另一方面，提供一种制造有机发光显示装置的方法，其中所述方法包括：执行第一掩模工艺，用于在基板上形成起泡防止层和薄膜晶体管的活化层；执行第二掩模工艺，用于在所述基板上形成第一电极单元、栅电极和互连单元，所述第一电极单元用于形成像素电极；执行第三掩模工艺，用于形成层间绝缘膜，所述层间绝缘膜具有暴露所述活化层的相对边缘的接触孔和暴露所述第一电极单元的一部分的开口；执行第四掩模工艺，用于形成通过所述接触孔接触所述活化层的源电极和漏电极并且由所述第一电极单元形成所述像素电极；以及执行第五掩模工艺，用于形成暴露所述像素电极的至少一部分的像素限定层。

执行所述第一掩模工艺可以包括：在所述基板上形成硅层；使所述硅层结晶；以及将结晶的硅层图案化，以形成所述活化层和所述起泡防止层。

执行所述第一掩模工艺可以进一步包括：在所述基板上形成与所述活化层在相同的层级上的下电容器电极。

执行所述第二掩模工艺可以包括：在所述基板上以栅绝缘层、第一导电层和第二导电层的这个顺序顺次形成所述栅绝缘层、所述第一导电层和所述第二导电层，以覆盖所述活化层和所述起泡防止层；以及将所述活化层上的所述第一导电层和所述第二导电层图案化以形成栅电极，所述栅电极包括所述第一导电层的作为下栅电极的部分和所述第二导电层的作为上栅电极的部分。

在形成所述栅电极时，在所述起泡防止层上将所述第一导电层和所述第二导电层图案化，以形成所述互连单元，所述互连单元包括所述第一导电层的作为第一层的部分以及所述第二导电层的作为第二层的部分。