[发明专利]有机发光显示装置及制造有机发光显示装置的方法在审
| 申请号: | 201210387150.3 | 申请日: | 2012-10-12 |
| 公开(公告)号: | CN103178080A | 公开(公告)日: | 2013-06-26 |
| 发明(设计)人: | 柳春基;崔埈厚 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 严芬;罗正云 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 制造 方法 | ||
1.一种有机发光显示装置,包括:
薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括:
活化层,
与所述活化层绝缘的栅电极,所述栅电极包括下栅电极和上栅电极,
覆盖所述栅电极的层间绝缘膜,和
所述层间绝缘膜上的源电极和漏电极,所述源电极和所述漏电极接触所述活化层;
有机发光器件,所述有机发光器件包括以如下顺序顺次堆叠的:
与所述薄膜晶体管电连接的像素电极,
包括发射层的中间层,和
对电极;
位于与所述活化层相同的层级上的起泡防止层;
覆盖所述活化层和所述起泡防止层的栅绝缘层,所述栅绝缘层使所述活化层与所述栅电极绝缘;以及
互连单元,所述互连单元包括位于所述栅绝缘层的、覆盖在所述起泡防止层上方的一部分上的第一层和第二层,
其中所述起泡防止层保护所述栅绝缘层上的所述互连单元免于起泡。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述起泡防止层具有包括多个突起的表面。
3.根据权利要求2所述的有机发光显示装置,其中所述栅绝缘层的面向所述互连单元的表面具有与所述起泡防止层的所述突起对应的粗糙部。
4.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述起泡防止层包括多晶硅。
5.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述第一层、所述下栅电极和所述像素电极各自包括透明导电金属氧化物。
6.根据权利要求5所述的有机发光显示装置,其中所述透明导电金属氧化物包括从氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌、氧化铟、氧化铟镓和氧化铝锌的组中选择的至少一种。
7.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述上栅电极包括从Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W、MoW和Cu的组中选择的至少一种材料。
8.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,进一步包括电容器,所述电容器包括:
位于与所述活化层相同的层级上的下电容器电极,和
位于所述栅绝缘层上的上电容器电极,
其中所述电容器与所述薄膜晶体管电联接。
9.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述第一层位于与所述下栅电极相同的层级上。
10.一种制造有机发光显示装置的方法,所述方法包括:
执行第一掩模工艺,以在基板上形成起泡防止层和薄膜晶体管的活化层;
执行第二掩模工艺,以在所述基板上形成第一电极单元、栅电极和互连单元,所述第一电极单元用于形成像素电极;
执行第三掩模工艺,以形成层间绝缘膜,使得所述层间绝缘膜包括暴露所述活化层的相对边缘的接触孔并且包括暴露所述第一电极单元的一部分的开口;
执行第四掩模工艺,以形成源电极和漏电极并由所述第一电极单元形成所述像素电极,使得所述源电极和所述漏电极通过所述接触孔接触所述活化层;并且
执行第五掩模工艺,以形成暴露所述像素电极的至少一部分的像素限定层。
11.根据权利要求10所述的制造有机发光显示装置的方法,其中执行所述第一掩模工艺包括:
在所述基板上形成硅层;
使所述硅层结晶;以及
将结晶的硅层图案化,以形成所述活化层和所述起泡防止层。
12.根据权利要求11所述的制造有机发光显示装置的方法,其中执行所述第一掩模工艺进一步包括:
在所述基板上形成与所述活化层在相同的层级上的下电容器电极。
13.根据权利要求10所述的制造有机发光显示装置的方法,其中执行所述第二掩模工艺包括:
在所述基板上以栅绝缘层、第一导电层和第二导电层的这个顺序顺次形成所述栅绝缘层、所述第一导电层和所述第二导电层,使得所述栅绝缘层、所述第一导电层和所述第二导电层覆盖所述活化层和所述起泡防止层;以及
将所述活化层上的所述第一导电层和所述第二导电层图案化以形成栅电极,使得所述栅电极包括所述第一导电层的作为下栅电极的部分和所述第二导电层的作为上栅电极的部分。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





