[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体装置的结构及其制造方法，特别涉及采用成批传递模制（transfer mold）方式制造的半导体装置。

背景技术

作为电力用半导体装置的制造方式，一体性地形成被树脂密封的多个半导体装置，经过随后的切断（切割（dicing））而获得一个个树脂密封型半导体装置的成批传递模制方式，广为人知。采用成批传递模制方式后，能够提高电力用半导体装置的可靠性，实现小型化、低成本化。

例如专利文献1公布了采用成批传递模制方式制造引线框结构的半导体装置的方法。在专利文献1中，公布了通过切割将成批树脂密封的多个半导体装置切成一个个半导体装置（单片化）时，预先在引线框上设置沿着切割线的线状的槽的技术。依据该技术，能够减少切割时的摩擦引起的热，减少引线框的切断面中“毛刺”的产生。

专利文献1：日本特开2002－110885号公报。

发明内容

在专利文献1中，在引线框设置线状的槽的目的，是为了获得易于切断、提高加工精度等加工方面的优点。在专利文献1中，如图1所示，成为从引线框切出的端子部从单片化的半导体装置的端面（切断面）的模制树脂露出的结构。通常在引线框结构的半导体装置中，模制树脂的作用是专门将端子部之间绝缘，所以成为这种结构后，水分就从露出半导体装置的端部的端子部和模制树脂的界面侵入，有可能使模制树脂的绝缘性降低，严重时还会出现界面剥离，使封装成为敞开的危险。

特别是在电力用半导体装置中，因为要求它具备对于高电压及高电流而言的耐受性，所以端子部露出半导体装置的端面的结构，有可能降低电力用半导体装置的可靠性。

本发明就是针对上述情况研制的，其目的在于提高采用成批传递模制方式制造的半导体装置的可靠性。

本发明涉及的半导体装置，具备：基板，该基板包含金属底座板、在所述金属底座板上配置的绝缘片以及在所述绝缘片上配置的布线图案；半导体元件，该半导体元件配置在所述基板上；以及模制树脂，该模制树脂构成密封所述半导体元件的壳体，所述模制树脂延伸到所述基板的侧面，所述绝缘片及所述布线图案，在所述基板的侧面不从所述模制树脂露出，所述金属底座板在所述基板的侧面具有从所述模制树脂露出的伸出部。

本发明涉及的半导体装置的制造方法，具备：（a）准备包含金属底座板、在所述金属底座板上配置的绝缘片以及在所述绝缘片上配置的布线图案的基板的工序；（b）在所述基板上安装半导体元件的工序；（c）在所述基板上形成覆盖所述半导体元件的模制树脂的工序；（d）在所述工序（c）后切断所述模制树脂及所述基板，切出多个搭载所述半导体元件的半导体装置的工序，在所述基板上，以沿着所述工序（d）中的切断线的方式预先形成贯通所述布线图案及所述绝缘片而到达所述金属底座板内的宽度大于所述切断线的槽，在所述工序（c）中，将所述模制树脂填充到所述槽的内部。

依据本发明，由于绝缘片及布线图案不从半导体装置的端面露出，所以能够防止水分的侵入带来的绝缘片的劣化、布线图案与模制树脂的剥离，提高半导体装置的可靠性。另外，由于采用成批传递模制方式形成，所以还有利于半导体装置的小型化及低成本化。

附图说明

图1是实施方式1涉及的半导体装置的剖面图；

图2是实施方式1涉及的半导体装置的俯视图；

图3是表示实施方式1涉及的半导体装置的内部结构的平面图；

图4是表示实施方式1涉及的半导体装置的单片化之前的状态的剖面图；

图5是用于讲述实施方式1涉及的半导体装置的制造方法的图；

图6是用于讲述实施方式1涉及的半导体装置的制造方法的图；

图7是用于讲述实施方式1涉及的半导体装置的制造方法的图；

图8是用于讲述实施方式1涉及的半导体装置的制造方法的图；

图9是用于讲述实施方式2涉及的半导体装置的结构及制造方法的图；

图10是用于讲述实施方式3涉及的半导体装置的结构及制造方法的图；

图11是用于讲述实施方式3涉及的半导体装置的结构及制造方法的图。

具体实施方式

（实施方式1）

图1～图3是表示本发明的实施方式1涉及的半导体装置100的结构的图。在这里，作为它的例子示出电力用半导体装置。图1是半导体装置100的剖面图，图2是其俯视图。另外，图3是表示半导体装置100的内部结构的图，是省略了后文讲述的套板7及模制树脂8的半导体装置100的平面图。此外，图1与沿着图2及图3所示的A1－A2线的剖面对应。